| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章绪论 | 第10-19页 |
| 1.1引言 | 第10页 |
| 1.2半导体简介及其光催化原理 | 第10-12页 |
| 1.3半导体光催化技术的研究历程 | 第12-15页 |
| 1.3.1元素掺杂 | 第13-14页 |
| 1.3.2贵金属沉积 | 第14-15页 |
| 1.3.3石墨烯类/半导体复合与半导体/半导体复合 | 第15页 |
| 1.4液相脉冲激光烧蚀法制备纳米材料 | 第15-17页 |
| 1.4.1液相脉冲激光烧蚀的过程和基本原理 | 第15-16页 |
| 1.4.2液相脉冲激光烧蚀法制备光催化材料的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4.3纳米结构的制备装置 | 第17页 |
| 1.5本论文的研究内容和意义 | 第17-19页 |
| 第二章黑色TiO2-GO复合材料的制备及其光催化性能 | 第19-32页 |
| 2.1引言 | 第19-20页 |
| 2.2实验部分 | 第20-22页 |
| 2.2.1实验试剂和仪器 | 第20页 |
| 2.2.2样品制备 | 第20-21页 |
| 2.2.3样品表征 | 第21页 |
| 2.2.4光催化性能测试 | 第21-22页 |
| 2.3结果与讨论 | 第22-29页 |
| 2.3.1材料的宏观形貌和晶体结构表征 | 第22-24页 |
| 2.3.2微观形貌和晶格结构 | 第24-26页 |
| 2.3.3材料的光学性能和带隙分析 | 第26-27页 |
| 2.3.4光催化性能分析 | 第27-29页 |
| 2.4机理分析 | 第29-30页 |
| 2.5本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章TiO2/SnO2-SiC复合材料制备及其光催化性能 | 第32-48页 |
| 3.1引言 | 第32-33页 |
| 3.2实验部分 | 第33-35页 |
| 3.2.1实验试剂和仪器 | 第33页 |
| 3.2.2样品表征 | 第33-34页 |
| 3.2.3材料制备 | 第34-35页 |
| 3.2.4光催化性能测试 | 第35页 |
| 3.3结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3.3.1SiCNCs的形貌及其光学性能 | 第35-37页 |
| 3.3.2样品的形貌及尺寸分布 | 第37-39页 |
| 3.3.3样品的XRD分析 | 第39-41页 |
| 3.3.4样品的光学性能和带隙分析 | 第41-43页 |
| 3.3.5微观形貌和晶格结构 | 第43-45页 |
| 3.3.6光催化性能测试 | 第45-46页 |
| 3.4光催化机理分析 | 第46-47页 |
| 3.5本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章激光烧蚀法二维SiC纳米片的制备 | 第48-56页 |
| 4.1引言 | 第48-49页 |
| 4.2实验部分 | 第49页 |
| 4.2.1样品的制备 | 第49页 |
| 4.2.2样品的表征 | 第49页 |
| 4.3结果与讨论 | 第49-54页 |
| 4.3.1二维SiC纳米片的微观结构 | 第49-50页 |
| 4.3.2二维SiC纳米片的XRD分析 | 第50-51页 |
| 4.3.3二维SiC纳米片的紫外-可见吸收光谱及光致发光谱 | 第51-52页 |
| 4.3.4二维SiC纳米片的傅里叶红外光吸收谱 | 第52-53页 |
| 4.3.5二维SiC片的XPS分析 | 第53-54页 |
| 4.4本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1总结 | 第56页 |
| 5.2展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
