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导电聚合物/无机纳米晶复合材料及器件的制备与表征

中文摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第1章 绪论第13-25页
 第1节 导电聚合物概述第13-16页
     ·导电聚合物的发现和发展第13-15页
     ·导电聚合物简介第15-16页
 第2节 半导体纳米晶概述第16-20页
     ·半导体纳米晶的性质第17-19页
     ·半导体纳米晶制备方法第19-20页
 第3节 导电聚合物/无机纳米晶复合材料的研究进展和现状第20-22页
     ·导电聚合物与无机纳米晶的复合优势第20-21页
     ·纳米复合材料的制备方法第21-22页
     ·导电聚合物/无机纳米晶复合材料的应用第22页
 第4节 本论文研究的目的、内容及与方法第22-25页
     ·研究目的和内容第22-23页
     ·研究方法第23-25页
第2章 MEH-PPV/PbS量子点的能量转移第25-50页
 第1节 引言第25-28页
     ·MEH-PPV/PbS量子点复合材料研究概况第25-26页
     ·能量转移概述第26-27页
     ·内容和目的第27-28页
 第2节 制备过程第28-30页
     ·实验试剂第28页
     ·仪器和设备第28-29页
     ·实验步骤第29-30页
 第3节 测试和表征第30-34页
     ·反应6分钟时产物的XRD检测第30-31页
     ·准原位吸收谱和荧光谱第31-34页
 第4节 球形PbS量子点计算模型第34-48页
     ·有限深势阱情况下能级理论的推导第35-47页
     ·计算结果第47-48页
 第5节 分析与讨论第48-49页
 第6节 本章小结第49-50页
第3章 PbS纳米线和纳米点生长的原位透射谱分析第50-67页
 第1节 引言第50-54页
     ·液相拧制合成和生长机理第50-52页
     ·模板控制合成机理第52-53页
     ·前人的实验结果和我们研究的意义第53-54页
 第2节 实验部分第54-57页
     ·实验设计第54-55页
     ·实验试剂第55页
     ·仪器和设备第55-56页
     ·实验步骤第56-57页
 第3节 结果与分析第57-65页
     ·PbS纳米线生长的演化吸收谱第57-63页
     ·PbS纳米点生长的演化吸收谱第63-65页
 第4节 本章小结第65-67页
第4章 MEH-PPV/InP量子点及器件的制备与表征第67-83页
 第1节 InP量子点研究进展第67-69页
     ·InP纳米晶研究概述第67-68页
     ·InP的基本性质第68-69页
     ·目的与方法第69页
 第2节 InP量了点的合成与表征第69-76页
     ·实验部分第69-74页
     ·InP量子点的表征和讨论第74-76页
 第3节 MEH-PPV/InP量子点复合材料的制备与表征第76-77页
     ·复合第76-77页
     ·复合材料的表征第77页
 第4节 MEH-PPV/InP量子点复合材料器件的加工与表征第77-82页
     ·器件结构第77-78页
     ·器件加工过程和步骤第78-80页
     ·复合材料器件的表征第80-82页
 第5节 本章小节第82-83页
第5章 MEH-PPV/InP量子点复合材料的渡越时间分析第83-105页
 第1节 引言第83-91页
     ·导电聚合物中的载流子迁移和迁移率第83-84页
     ·导电聚合物中迁移率的测量第84-87页
     ·非晶体系载流子迁移的理论模型第87-90页
     ·意义、目的和创新点第90-91页
 第2节 渡越时间技术装置要求和检测技巧第91-98页
     ·检测电路和装置第91页
     ·渡越时间检测的基本要求第91-92页
     ·渡越时间检测实际操作中的要求和技巧第92-98页
 第3节、渡越时间检测结果和分析第98-103页
     ·MEH-PPV薄膜的渡越时间检测结果第98-101页
     ·MEH-PPV/InP薄膜的渡越时间结果第101-103页
 第4节 本章小节第103-105页
第6章 总结与展望第105-108页
 第1节 全文总结第105-106页
 第2节 展望第106-108页
参考文献第108-116页
致谢第116-117页
个人简历第117-118页

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