| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 透明导电薄膜概述 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO薄膜的结构与性能 | 第13-19页 |
| 1.2.1 ZnO薄膜的导电机制 | 第14-17页 |
| 1.2.2 ZnO薄膜的光学特性 | 第17-19页 |
| 1.2.3 ZnO的其他特性 | 第19页 |
| 1.3 ZnO薄膜的制备技术 | 第19-26页 |
| 1.3.1 磁控溅射法 | 第20-21页 |
| 1.3.2 溶胶-凝胶法 | 第21-22页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第22-24页 |
| 1.3.4 喷涂热分解法 | 第24-25页 |
| 1.3.5 脉冲激光沉积法(PLD) | 第25-26页 |
| 1.4 ZnO薄膜研究现状 | 第26-27页 |
| 1.5 本论文的主要工作及内容安排 | 第27-28页 |
| 第二章 ZnO基透明导电薄膜制备与表征 | 第28-50页 |
| 2.1 磁控溅射法制备ZnO基透明导电薄膜 | 第28-30页 |
| 2.1.1 基片前处理 | 第28页 |
| 2.1.2 实验设备以及主要工艺参数 | 第28-30页 |
| 2.2 AZO薄膜结构与性能的表征 | 第30-36页 |
| 2.2.1 薄膜的结构和形貌 | 第30-31页 |
| 2.2.2 薄膜的光学性能 | 第31页 |
| 2.2.3 薄膜电学性能表征 | 第31-35页 |
| 2.2.4 薄膜成分分析 | 第35-36页 |
| 2.3 溅射工艺参数对薄膜结构与光电性能的影响 | 第36-48页 |
| 2.3.1 衬底温度 | 第36-39页 |
| 2.3.2 氧氩比 | 第39-40页 |
| 2.3.3 溅射功率 | 第40-43页 |
| 2.3.4 溅射气压 | 第43-46页 |
| 2.3.5 退火温度及气氛 | 第46-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 掺杂浓度及类型对ZnO基的透明导电膜光电性能的影响 | 第50-62页 |
| 3.1 Al的掺杂浓度对于薄膜的光电性能的影响 | 第50-54页 |
| 3.1.1 Al掺杂浓度对电学性能的影响 | 第50-52页 |
| 3.1.2 Al掺杂浓度对光学性能的影响 | 第52-54页 |
| 3.2 掺杂类型对于薄膜性能的影响 | 第54-61页 |
| 3.2.1 Al、H共掺对薄膜光电性能的影响 | 第54-57页 |
| 3.2.2 In、Ga共掺对薄膜光电性能的影响 | 第57-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 ZnO基透明导电膜的老化性能研究 | 第62-71页 |
| 4.1 薄膜老化特性 | 第62页 |
| 4.2 老化实验条件 | 第62-63页 |
| 4.3 薄膜老化性能的研究 | 第63-68页 |
| 4.3.1 薄膜的电学性能 | 第63-66页 |
| 4.3.2 薄膜的光学性能 | 第66-68页 |
| 4.4 老化机理的分析及验证 | 第68-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 全文总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 附录: 发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |