| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnSnN_2薄膜研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 ZnSnN_2薄膜制备方法 | 第11页 |
| 1.2.2 ZnSnN_2薄膜晶格结构 | 第11-13页 |
| 1.2.3 ZnSnN_2薄膜光学性能 | 第13-14页 |
| 1.2.4 ZnSnN_2薄膜电学性能 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnSnN_2基pn结研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3.1 pn结概念及应用 | 第15页 |
| 1.3.2 pn结的电学性质 | 第15-17页 |
| 1.3.3 p-GaN/n-ZnSnN_2异质结 | 第17-19页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 样品制备以及性能表征技术 | 第20-26页 |
| 2.1 样品制备技术 | 第20-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第20-21页 |
| 2.1.2 紫外光刻机 | 第21页 |
| 2.1.3 电子束蒸发 | 第21-22页 |
| 2.2 性能表征技术 | 第22-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第22页 |
| 2.2.2 拉曼光谱仪 | 第22-23页 |
| 2.2.3 场发射扫描电镜 | 第23页 |
| 2.2.4 光谱型椭圆偏振仪 | 第23-24页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试仪 | 第24-25页 |
| 2.2.6 紫外光电子能谱 | 第25页 |
| 2.2.7 半导体参数测量仪 | 第25-26页 |
| 第三章 靶材锌锡原子比对ZnSnN_2薄膜性能的影响 | 第26-34页 |
| 3.1 ZnSnN_2薄膜的制备 | 第26页 |
| 3.2 靶材锌锡原子比对ZnSnN_2薄膜性能的影响 | 第26-33页 |
| 3.2.1 靶材锌锡原子比对ZnSnN_2薄膜结构的影响 | 第26-28页 |
| 3.2.2 靶材锌锡原子比对ZnSnN_2薄膜形貌的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.3 靶材锌锡原子比对ZnSnN_2薄膜光学性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.4 靶材锌锡原子比对ZnSnN_2薄膜电学性能的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 pn结制备与性能优化 | 第34-44页 |
| 4.1 pn结制备流程 | 第34-39页 |
| 4.1.1 磁控溅射制备ZnSnN_2薄膜 | 第34页 |
| 4.1.2 图形化工艺 | 第34-38页 |
| 4.1.3 电子束蒸发制备电极 | 第38-39页 |
| 4.2 pn结性能优化 | 第39-43页 |
| 4.2.1 器件尺寸对pn结性能的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.2 ZnSnN_2薄膜厚度对pn结性能的影响 | 第40页 |
| 4.2.3 溅射功率对pn结性能的影响 | 第40-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 退火温度对ZnSnN_2薄膜和pn结性能的影响 | 第44-56页 |
| 5.1 退火温度对ZnSnN_2薄膜性能的影响 | 第44-48页 |
| 5.1.1 退火温度对ZnSnN_2薄膜结构的影响 | 第44-45页 |
| 5.1.2 退火温度对ZnSnN_2薄膜形貌的影响 | 第45页 |
| 5.1.3 退火温度对ZnSnN_2薄膜光学性能的影响 | 第45-47页 |
| 5.1.4 退火温度对ZnSnN_2薄膜电学性能的影响 | 第47页 |
| 5.1.5 退火温度对ZnSnN_2薄膜功函数的影响 | 第47-48页 |
| 5.2 退火温度对pn结性能的影响 | 第48-55页 |
| 5.2.1 Si和ZnSnN_2与Ni/Au电极接触方式 | 第48-50页 |
| 5.2.2 退火温度对pn结I-V特性的影响 | 第50-54页 |
| 5.2.3 退火温度对pn结C-V特性的影响 | 第54-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
