HfO2基阻变存储器掺杂效应的理论研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 阻变存储器 | 第11-14页 |
| 1.1.1 阻变层掺杂 | 第12页 |
| 1.1.2 电子传导机制 | 第12-14页 |
| 1.2 第一性原理方法 | 第14-15页 |
| 1.2.1 密度泛函理论 | 第14-15页 |
| 1.3 本论文工作和意义 | 第15-17页 |
| 第二章 掺杂HfO_2基RRAM电输运特性模拟 | 第17-24页 |
| 2.1 掺杂HfO_2基RRAM的I-V关系 | 第17-22页 |
| 2.1.1 载流子跃迁-隧穿模型 | 第17-19页 |
| 2.1.2 缺陷电子激活能 | 第19-20页 |
| 2.1.3 拟合实验曲线 | 第20-22页 |
| 2.2 掺杂HfO_2基RRAM中电子输运路径 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 掺杂对HfO_2能带结构的影响 | 第24-34页 |
| 3.1 含氧空位HfO_2的能带结构 | 第24-25页 |
| 3.2 掺杂元素的分类 | 第25-32页 |
| 3.2.1 类Hf掺杂元素 | 第25-29页 |
| 3.2.2 非类Hf掺杂元素 | 第29-32页 |
| 3.3 掺杂效应的规律 | 第32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 掺杂对HfO_2中氧空位的影响 | 第34-40页 |
| 4.1 氧空位中载流子激活能 | 第34-36页 |
| 4.2 氧空位形成能 | 第36-38页 |
| 4.3 HfO_2基RRAM普适性掺杂方案 | 第38-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 总结和展望 | 第40-43页 |
| 5.1 总结 | 第40-41页 |
| 5.2 工作展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-50页 |
| 附录 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
