| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 理论基础 | 第16-24页 |
| 2.1 基态密度泛函理论方法 | 第16-19页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第16-17页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.2 近似密度泛函 | 第19-21页 |
| 2.2.1 局域密度近似(Local Density Approximation) | 第19-20页 |
| 2.2.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation) | 第20-21页 |
| 2.3 平面波基组和赝势 | 第21页 |
| 2.4 Z_2拓扑不变量的计算 | 第21-24页 |
| 第三章 第IVA族二维薄膜的量子霍尔效应研究 | 第24-32页 |
| 3.1 第IVA族二维薄膜的晶体结构及能带结构研究 | 第24-26页 |
| 3.2 二维薄膜的量子拓扑性质机理 | 第26-29页 |
| 3.3 双轴应力对拓扑性质的影响 | 第29-30页 |
| 3.4 衬底对材料拓扑性质的影响 | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 功能化修饰第IVA杂化型二维薄膜的量子性质研究 | 第32-44页 |
| 4.1 功能化修饰对杂化型二维薄膜结构的影响 | 第32-37页 |
| 4.2 功能化修饰IVA族杂化型二维薄膜的量子性质研究 | 第37-38页 |
| 4.3 双轴应力对拓扑性质的影响 | 第38-42页 |
| 4.4 PbSnCl_2薄膜在衬底生长机理研究 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 二维金属氧化物Nb_2O_3的量子反常霍尔效应研究 | 第44-58页 |
| 5.1 二维金属氧化物Nb_2O_3的电子结构及其稳定性 | 第44-46页 |
| 5.2 二维金属氧化物Nb_2O_3的铁磁序和居里温度研究 | 第46-47页 |
| 5.3 二维金属氧化物Nb_2O的电子性质研究 | 第47-48页 |
| 5.4 二维金属氧化物Nb_2O_3的量子反常霍尔效应 | 第48-49页 |
| 5.5 紧束缚模型的研究 | 第49-55页 |
| 5.5.1 哈密顿量函数 | 第49-54页 |
| 5.5.2 紧束缚模型中哈密顿量 | 第54-55页 |
| 5.6 二维金属氧化物Nb_2O_3在衬底上的生长机理研究 | 第55-56页 |
| 5.7 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 三角过渡金属碳化物中的二维量子霍尔效应研究 | 第58-66页 |
| 6.1 紧束缚模型下拓扑性质的研究 | 第58-60页 |
| 6.2 氧化MXene二维结构W_2M_2C_3的拓扑性质研究 | 第60-63页 |
| 6.3 平面应力对W_2M_2C_3O_2的电子性质调控机理研究 | 第63-65页 |
| 6.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 附录 | 第78-79页 |
