Ni外延薄膜的磁各向异性调控机理研究
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第16-29页 |
1.1 引言 | 第16-17页 |
1.2 应变工程 | 第17-18页 |
1.3 应力调控磁各向异性研究进展 | 第18-26页 |
1.3.1 磁各向异性概述 | 第18-20页 |
1.3.2 应力调控磁各向异性的研究进展 | 第20-26页 |
1.4 本文的选题依据与主要内容 | 第26-29页 |
1.4.1 本文的选题依据 | 第26-27页 |
1.4.2 本文的主要内容 | 第27-29页 |
第二章 薄膜的制备工艺与表征方法 | 第29-43页 |
2.1 薄膜制备与表征技术 | 第29-34页 |
2.1.1 磁控溅射原理 | 第29-30页 |
2.1.2 结构与性能表征 | 第30-34页 |
2.2 薄膜制备与工艺优化 | 第34-40页 |
2.2.1 沉积温度对Ni薄膜的影响 | 第34-36页 |
2.2.2 沉积压强对Ni薄膜的影响 | 第36-37页 |
2.2.3 溅射功率对Ni薄膜的影响 | 第37-39页 |
2.2.4 退火对Ni薄膜的影响 | 第39-40页 |
2.3 薄膜结构与磁学性能表征 | 第40-42页 |
2.4 本章小结 | 第42-43页 |
第三章 应变诱导Ni薄膜磁各向异性 | 第43-56页 |
3.1 不同取向外延薄膜磁各向异性研究 | 第43-49页 |
3.1.1 薄膜的制备与微结构表征 | 第43-45页 |
3.1.2 薄膜的磁滞回线 | 第45-46页 |
3.1.3 薄膜的应变对磁性调控的分析 | 第46-49页 |
3.2 不同衬底对外延薄膜磁各向异性的影响 | 第49-53页 |
3.2.1 薄膜的样品制备与晶体结构表征 | 第49-51页 |
3.2.2 薄膜的形貌表征 | 第51页 |
3.2.3 应变对薄膜的磁各向异性的影响 | 第51-53页 |
3.3 电场对Ni的磁性调控 | 第53-55页 |
3.3.1 样品的制备 | 第53页 |
3.3.2 电场对薄膜晶体结构的影响 | 第53-54页 |
3.3.3 电场对磁性的调控 | 第54-55页 |
3.4 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 界面调控Ni薄膜磁各向异性 | 第56-64页 |
4.1 金属Ta缓冲层对磁性的调控 | 第56-59页 |
4.1.1 样品制备 | 第56页 |
4.1.2 薄膜晶体结构和形貌的表征 | 第56-58页 |
4.1.3 薄膜的的磁滞回线 | 第58-59页 |
4.2 SRO介质缓冲层对磁性的调控 | 第59-62页 |
4.2.1 样品制备 | 第59-60页 |
4.2.2 薄膜晶体结构和形貌的表征 | 第60-61页 |
4.2.3 薄膜的的磁滞回线 | 第61-62页 |
4.3 本章小结 | 第62-64页 |
第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-73页 |
附录:攻读硕士学位期间的论文成果 | 第73-74页 |
致谢 | 第74页 |