基于连续CA方法的硅各向异性腐蚀仿真
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 MEMS简介 | 第9页 |
| 1.2 MEMS加工技术 | 第9-11页 |
| 1.3 MEMSCAD | 第11-13页 |
| 1.4 硅各向异性腐蚀仿真方法的比较与研究现状 | 第13-19页 |
| 1.4.1 几何模型 | 第13-15页 |
| 1.4.2 原子模型 | 第15-19页 |
| 1.5 本课题的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 硅单晶各向异性腐蚀机理及连续CA模型 | 第20-28页 |
| 2.1 单晶硅的结构 | 第20-22页 |
| 2.2 单晶硅的性质 | 第22-23页 |
| 2.3 单晶硅湿法各向异性腐蚀机理 | 第23-25页 |
| 2.4 硅湿法各向异性腐蚀的特点 | 第25-28页 |
| 2.4.1 硅晶面腐蚀速率 | 第25-26页 |
| 2.4.2 硅腐蚀面的质量 | 第26页 |
| 2.4.3 掩膜层的腐蚀速率 | 第26-27页 |
| 2.4.4 凸角的切削比率 | 第27页 |
| 2.4.5 腐蚀终止 | 第27-28页 |
| 第三章 二维与三维硅各向异性腐蚀CA模型建立 | 第28-47页 |
| 3.1 元胞自动机简介 | 第28-30页 |
| 3.2 硅各向异性腐蚀的连续CA模型 | 第30页 |
| 3.3 硅二维各向异性腐蚀模拟的连续CA算法 | 第30-36页 |
| 3.4 硅三维各向异性腐蚀模拟的连续CA算法 | 第36-43页 |
| 3.5 腐蚀速率 | 第43-47页 |
| 3.5.1 实验测定 | 第43页 |
| 3.5.2 电化学模型与连续CA模型结合计算 | 第43-44页 |
| 3.5.3 转变态理论与连续CA模型结合计算 | 第44页 |
| 3.5.4 台阶流动模型与连续CA模型结合计算 | 第44-47页 |
| 第四章 连续CA方法程序的实现 | 第47-69页 |
| 4.1 二维硅湿法刻蚀的各向异性腐蚀模拟 | 第47-60页 |
| 4.1.1 二微硅湿法刻蚀模拟的腐蚀前端面显示 | 第47-49页 |
| 4.1.2 参数D值的确定 | 第49-50页 |
| 4.1.3 动态CA算法和静态CA算法的比较 | 第50-54页 |
| 4.1.4 元胞阵列密度对模拟结果的影响 | 第54-58页 |
| 4.1.5 二维腐蚀算法的改进 | 第58-60页 |
| 4.2 硅三维腐蚀各向异性模拟 | 第60-69页 |
| 4.2.1 凹面腐蚀模拟与腐蚀前端面显示 | 第60-64页 |
| 4.2.2 正方形掩膜台面直角切削分析 | 第64-66页 |
| 4.2.3 L型掩膜台面直角切削分析 | 第66-67页 |
| 4.2.4 圆形掩膜台面非直角切削分析 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第69-70页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第74-75页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
