记忆元件的电学特性分析及应用研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 研究目的及意义 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3.1 忆阻器和忆容器的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3.2 忆阻器和忆容器混沌研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 1.4.1 章节安排 | 第12-13页 |
| 1.4.2 依托项目 | 第13-14页 |
| 第二章 记忆元件的基础理论 | 第14-23页 |
| 2.1 记忆元件概述 | 第14-18页 |
| 2.1.1 忆阻器的概念及分类 | 第15-16页 |
| 2.1.2 忆容器的概念及分类 | 第16-17页 |
| 2.1.3 广义忆阻器和忆容器的定义 | 第17-18页 |
| 2.2 忆阻器的基本电路特性 | 第18-20页 |
| 2.3 典型忆阻器模型分析 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 忆阻器和忆容器的电路实现 | 第23-40页 |
| 3.1 荷控忆阻器 | 第23-27页 |
| 3.1.1 荷控忆阻器的电路设计 | 第23-25页 |
| 3.1.2 荷控忆阻器的电路仿真分析 | 第25-27页 |
| 3.2 磁控忆阻器 | 第27-31页 |
| 3.2.1 磁控忆阻器的电路设计 | 第27-29页 |
| 3.2.2 磁控忆阻器的电路仿真分析 | 第29-31页 |
| 3.3 电压控制忆容器 | 第31-36页 |
| 3.3.1 二阶电压控制忆容器模拟电路 | 第31-34页 |
| 3.3.2 三阶电压控制忆容器模拟电路 | 第34-36页 |
| 3.4 电荷控制忆容器 | 第36-39页 |
| 3.4.1 电荷控制忆容器的电路设计 | 第36-38页 |
| 3.4.2 电荷控制忆容器的电路仿真分析 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基于忆阻器和忆容器的混沌系统分析 | 第40-57页 |
| 4.1 混沌系统概念 | 第40-42页 |
| 4.1.1 混沌的定义 | 第40页 |
| 4.1.2 混沌的特征 | 第40-41页 |
| 4.1.3 混沌的分析方法 | 第41-42页 |
| 4.2 基于忆阻器和忆容器的混沌系统 | 第42-45页 |
| 4.3 混沌电路的基础动力学分析 | 第45-46页 |
| 4.4 系统随电路参数变化的动力学分析 | 第46-53页 |
| 4.4.1 系统随电感L变化的动力学分析 | 第46-50页 |
| 4.4.2 系统随电阻R变化的动力学分析 | 第50-53页 |
| 4.5 系统随记忆元件初始状态变化的动力学分析 | 第53-56页 |
| 4.5.1 系统随忆容器初始状态变化的动力学分析 | 第53-54页 |
| 4.5.2 系统随忆阻器初始状态变化的动力学分析 | 第54-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 基于忆阻器和忆容器的混沌电路仿真 | 第57-61页 |
| 5.1 混沌电路的实现思路及步骤 | 第57页 |
| 5.2 基于忆阻器和忆容器混沌电路的实现 | 第57-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
