| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 基于二维材料的光电晶体管器件 | 第11-19页 |
| 1.2.1 二维材料光探测器简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 光探测器的几个重要参数 | 第12-14页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的工作原理和操作特性 | 第14-19页 |
| 1.3 HfO_2介电材料简介 | 第19-21页 |
| 1.3.1 介电材料极化机制 | 第19-20页 |
| 1.3.2 高介电材料的特点 | 第20-21页 |
| 1.4 钙钛矿光伏材料简介 | 第21-22页 |
| 1.4.1 钙钛矿的晶体结构 | 第21-22页 |
| 1.4.2 影响钙钛矿材料稳定性的因素 | 第22页 |
| 1.5 本课题主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验材料及测试方法 | 第24-32页 |
| 2.1 实验药品及实验仪器 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第24-25页 |
| 2.1.2 实验所需仪器 | 第25页 |
| 2.2 实验内容 | 第25-29页 |
| 2.2.1 原子层沉积制备HfO_2高介电薄膜 | 第25-27页 |
| 2.2.2 两步旋涂法制备钙钛矿薄膜及薄膜晶体管 | 第27-29页 |
| 2.3 材料测试表征方法 | 第29-32页 |
| 2.3.0 扫描电子显微镜 | 第30页 |
| 2.3.1 透射电子显微镜 | 第30页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第30页 |
| 2.3.3 X射线衍射仪 | 第30页 |
| 2.3.4 X射线能谱仪 | 第30页 |
| 2.3.5 紫外-可见光分光光度计 | 第30页 |
| 2.3.6 光致发光光谱 | 第30页 |
| 2.3.7 荧光瞬态谱仪 | 第30-31页 |
| 2.3.8 半导体测试系统 | 第31页 |
| 2.3.9 中子反射 | 第31-32页 |
| 第3章 HfO_2介电薄膜的制备及优化 | 第32-45页 |
| 3.1 HfO_2薄膜的制备 | 第32-35页 |
| 3.1.1 HfO_2薄膜的基本制备工艺 | 第32页 |
| 3.1.2 薄膜的元素组成分析 | 第32-34页 |
| 3.1.3 薄膜的XRD分析 | 第34页 |
| 3.1.4 薄膜的显微组织结构分析 | 第34-35页 |
| 3.2 基底预处理对ALD薄膜生长的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.1 基底预处理方式 | 第35-36页 |
| 3.2.2 不同预处理方式对薄膜形貌和性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 沉积温度对HfO_2薄膜生长和性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.1 沉积温度对薄膜形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 沉积温度对薄膜厚度的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 沉积温度对薄膜漏电学性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 沉积循环周期对HfO_2薄膜生长和性能的影响 | 第40-44页 |
| 3.4.1 沉积循环周期对薄膜形貌的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.2 沉积循环周期对薄膜厚度的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.3 沉积循环周期对薄膜电学性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 甲脒碘化铅钙钛矿薄膜制备及性能优化 | 第45-59页 |
| 4.1 钙钛矿前驱体溶剂的选择 | 第45-49页 |
| 4.1.1 前驱体溶剂对钙钛矿薄膜成分和形貌的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.2 不同前驱体溶剂对钙钛矿薄膜光学性能 | 第47-48页 |
| 4.1.3 前驱体溶剂影响钙钛矿薄膜生长的机理 | 第48-49页 |
| 4.2 退火温度对钙钛矿薄膜生长的影响 | 第49-52页 |
| 4.2.1 退火温度对薄膜的形貌和微观结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.2 退火温度对薄膜光学、电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 转速对薄膜生长的影响 | 第52-58页 |
| 4.3.1 薄膜厚度影响因素 | 第53-54页 |
| 4.3.2 转速对薄膜厚度和微观结构的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.3 不同厚度薄膜的光学和电学性能 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 钙钛矿薄膜晶体管性能与界面钝化 | 第59-68页 |
| 5.1 钙钛矿薄膜晶体管的制备 | 第59-60页 |
| 5.1.1 薄膜晶体管介电层的制备 | 第59-60页 |
| 5.1.2 薄膜晶体管有源层的制备 | 第60页 |
| 5.2 钙钛矿薄膜晶体管的器件性能 | 第60-61页 |
| 5.3 钙钛矿薄膜晶体管的界面钝化 | 第61-67页 |
| 5.3.1 界面钝化方法及表征 | 第61-63页 |
| 5.3.2 钝化对器件性能的影响 | 第63-64页 |
| 5.3.3 钝化机理研究 | 第64-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |