| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 SAW气体传感器研究现状 | 第11页 |
| 1.3 气敏材料研究概况 | 第11-12页 |
| 1.4 SnO_2气敏材料研究现状 | 第12页 |
| 1.5 本文工作及其安排 | 第12-14页 |
| 2 基本原理和实验方法 | 第14-20页 |
| 2.1 SAW传感器基本原理 | 第14-15页 |
| 2.1.1 SAW器件原理 | 第14页 |
| 2.1.2 SAW气体传感器气敏机理 | 第14-15页 |
| 2.2 溶胶-凝胶法的基本原理 | 第15-19页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法技术简介 | 第15-18页 |
| 2.2.2 溶胶-凝胶法制备薄膜的工艺方法与特点 | 第18-19页 |
| 2.3 掺杂基本原理 | 第19-20页 |
| 2.3.1 掺杂技术简介 | 第19页 |
| 2.3.2 类质同象置换规则 | 第19-20页 |
| 3 非掺杂SnO_2薄膜的制备与表征 | 第20-35页 |
| 3.1 非掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 3.2 400 ℃非掺杂SnO_2薄膜表征 | 第22-26页 |
| 3.2.1 非掺杂SnO_2薄膜SEM分析 | 第22-25页 |
| 3.2.2 非掺杂SnO_2薄膜EDS能谱研究 | 第25-26页 |
| 3.2.3 非掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第26页 |
| 3.3 500 ℃非掺杂SnO_2薄膜表征 | 第26-30页 |
| 3.3.1 非掺杂SnO_2薄膜SEM研究 | 第26-29页 |
| 3.3.2 非掺杂SnO_2薄膜EDS能谱研究 | 第29页 |
| 3.3.3 非掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第29-30页 |
| 3.4 600 ℃非掺杂SnO_2薄膜表征 | 第30-35页 |
| 3.4.1 非掺杂SnO_2薄膜SEM研究 | 第30-32页 |
| 3.4.2 非掺杂SnO_2EDS能谱研究 | 第32-33页 |
| 3.4.3 非掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第33-35页 |
| 4 Ni掺杂SnO_2薄膜的制备与表征 | 第35-51页 |
| 4.1 Ni掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第35-38页 |
| 4.2 400 ℃Ni掺杂SnO_2薄膜表征 | 第38-42页 |
| 4.2.1 Ni掺杂SnO_2薄膜SEM研究 | 第38-41页 |
| 4.2.2 Ni掺杂SnO_2薄膜能谱分析 | 第41-42页 |
| 4.2.3 Ni掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第42页 |
| 4.3 500 ℃Ni掺杂SnO_2薄膜表征 | 第42-46页 |
| 4.3.1 Ni掺杂SnO_2薄膜SEM研究 | 第42-45页 |
| 4.3.2 Ni掺杂SnO_2薄膜能谱分析 | 第45页 |
| 4.3.3 Ni掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第45-46页 |
| 4.4 600 ℃Ni掺杂SnO_2薄膜表征 | 第46-51页 |
| 4.4.1 Ni掺杂SnO_2薄膜SEM研究 | 第46-49页 |
| 4.4.2 Ni掺杂SnO_2薄膜能谱分析 | 第49页 |
| 4.4.3 Ni掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第49-51页 |
| 5 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备与表征 | 第51-67页 |
| 5.1 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第51-53页 |
| 5.2 400 ℃Sb掺杂SnO_2薄膜表征 | 第53-58页 |
| 5.2.1 Sb掺杂SnO_2薄膜SEM研究 | 第54-56页 |
| 5.2.2 Sb掺杂SnO_2薄膜能谱分析 | 第56-57页 |
| 5.2.3 Sb掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第57-58页 |
| 5.3 500 ℃Sb掺杂SnO_2薄膜表征 | 第58-62页 |
| 5.3.1 Sb掺杂SnO_2薄膜SEM图 | 第58-61页 |
| 5.3.2 Sb掺杂SnO_2薄膜能谱分析 | 第61页 |
| 5.3.3 Sb掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第61-62页 |
| 5.4 600 ℃Sb掺杂SnO_2薄膜表征 | 第62-67页 |
| 5.4.1 Sb掺杂SnO_2薄膜SEM图 | 第62-65页 |
| 5.4.2 Sb掺杂SnO_2薄膜能谱分析 | 第65页 |
| 5.4.3 Sb掺杂SnO_2薄膜XRD研究 | 第65-67页 |
| 6 SnO_2及其掺杂薄膜微观机理研究 | 第67-83页 |
| 6.1 Sb掺杂SnO_2导电性能研究 | 第67-70页 |
| 6.1.1 基础理论与计算方法 | 第67页 |
| 6.1.2 计算模型 | 第67-68页 |
| 6.1.3 掺杂Sb对SnO_2导电性研究 | 第68-70页 |
| 6.2 Ni掺杂SnO_2导电性能研究 | 第70-72页 |
| 6.2.1 计算方法 | 第70页 |
| 6.2.2 Ni掺杂对SnO_2导电性研究 | 第70-72页 |
| 6.3 SnO_2(110)面吸附CH3-研究 | 第72-74页 |
| 6.3.1 计算方法和模型选择 | 第72-74页 |
| 6.3.2 计算结果及讨论 | 第74页 |
| 6.4 Ni掺杂SnO_2(110)面吸附CH3-研究 | 第74-76页 |
| 6.4.1 Ni掺杂SnO_2计算方法和模型选择 | 第74-75页 |
| 6.4.2 Ni掺杂SnO_2(110)面计算结果及讨论 | 第75-76页 |
| 6.5 Sb掺杂SnO_2(110)面吸附CH3-研究 | 第76-78页 |
| 6.5.1 Sb掺杂SnO_2计算方法和模型选择 | 第76-77页 |
| 6.5.2 Sb掺杂SnO_2(110)面计算结果及讨论 | 第77-78页 |
| 6.6 SnO_2(110)面吸附CH4研究 | 第78-80页 |
| 6.7 Ni掺杂SnO_2(110)面吸附CH4研究 | 第80-83页 |
| 总结 | 第83-85页 |
| 展望 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 附录 | 第91页 |
