| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 多孔硅材料的概述 | 第7-10页 |
| 1.1.1 多孔硅材料基本概念 | 第7页 |
| 1.1.2 多孔硅材料研究背景及现状 | 第7-10页 |
| 1.1.3 多孔硅材料应用 | 第10页 |
| 1.2 微阵列芯片的概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 微阵列芯片基本概念 | 第10-11页 |
| 1.2.2 微阵列芯片研究背景及现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 微阵列芯片检测技术 | 第12-13页 |
| 1.3 多孔硅为基底生物芯片研究 | 第13-14页 |
| 1.4 论文研究意义及主要创新 | 第14页 |
| 1.5 论文主要研究概要 | 第14-16页 |
| 第二章 多孔硅微阵列芯片的制备 | 第16-24页 |
| 2.1 多孔硅介绍 | 第16页 |
| 2.2 多孔硅制备原理 | 第16-17页 |
| 2.3 多孔硅发光原理 | 第17页 |
| 2.4 多孔硅光子晶体概述 | 第17-21页 |
| 2.4.1 多孔硅布拉格反射镜原理 | 第18-19页 |
| 2.4.2 多孔硅微腔原理 | 第19-21页 |
| 2.5 微阵列芯片的制备原理 | 第21-23页 |
| 2.5.1 实验仪器及材料 | 第21-22页 |
| 2.5.2 微阵列芯片制备过程 | 第22-23页 |
| 2.6 小结 | 第23-24页 |
| 第三章 多孔硅微腔微阵列测量原理 | 第24-31页 |
| 3.1 多孔硅微腔介绍 | 第24页 |
| 3.2 角度测量法原理 | 第24-27页 |
| 3.3 折射率变化量与入射角度关系 | 第27-28页 |
| 3.4 反射率变化量与入射角度的关系 | 第28-30页 |
| 3.5 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 数字图像法检测多孔硅微腔微阵列 | 第31-42页 |
| 4.1 灰度值概念 | 第31页 |
| 4.2 介绍 | 第31-32页 |
| 4.3 实验部分 | 第32-35页 |
| 4.3.1 实验仪器与材料 | 第32-33页 |
| 4.3.2 多孔硅微腔微阵列制备 | 第33-35页 |
| 4.4 多孔硅微腔微阵列芯片检测 | 第35页 |
| 4.5 用数字图像法对多孔硅微腔微阵列器件进行成像 | 第35-37页 |
| 4.6 结果与分析 | 第37-41页 |
| 4.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 结论 | 第42页 |
| 5.2 创新点 | 第42-43页 |
| 5.3 未来展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-51页 |
| 发表文章目录 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |