提要 | 第1-8页 |
第一章 绪论 | 第8-18页 |
·课题研究的现状及意义 | 第8-13页 |
·非线性光学晶体材料的分类 | 第8-9页 |
·研究的非线性光学晶体的意义 | 第9-12页 |
·红外波段的非线性光学晶体发展概况 | 第12-13页 |
·本论文的写作背景 | 第13-16页 |
·本论文研究的主要内容及意义 | 第16-18页 |
第二章 非线性GaSe 晶体基本性质概述 | 第18-26页 |
·晶体背景介绍 | 第18页 |
·GaSe 晶体的生长方法 | 第18-21页 |
·基本性质 | 第21-25页 |
·晶体结构 | 第21-22页 |
·基本参数 | 第22页 |
·热学参数 | 第22-24页 |
·光学参数 | 第24-25页 |
·GaSe 晶体的优缺点 | 第25-26页 |
第三章 不同掺杂晶体GaSe:X 的性质 | 第26-38页 |
·掺杂杂质元素的原因 | 第26-29页 |
·改进GaSe 晶体性质的必要性 | 第26页 |
·GaSe 晶体的结构缺陷分析 | 第26-29页 |
·杂质含量的表示方法 | 第29-30页 |
·质量百分含量(mass%) | 第29页 |
·原子数百分含量(atomic%) | 第29页 |
·掺杂物质分子的质量百含量(molecule%) | 第29-30页 |
·杂质掺杂晶体的发展现状及性能的改进 | 第30-34页 |
·杂质掺杂晶体的发展 | 第30-31页 |
·不同掺杂杂质晶体性能比较 | 第31-34页 |
·实验样本具体参数性能 | 第34-36页 |
·实验样本介绍 | 第34-35页 |
·实验样本硬度 | 第35-36页 |
·小结 | 第36-38页 |
第四章 GaSe:X(X= Te, Al, S, AgGa52)晶体的光学特性 | 第38-44页 |
·晶体透过率与吸收系数 | 第38-39页 |
·主要仪器及实验样本介绍 | 第39-41页 |
·TU-1901 紫外-可见分光光度计 | 第39-40页 |
·Auatar 360 傅里叶变换红外光谱仪 | 第40-41页 |
·改进后晶体的透过率、吸收光谱特性测定 | 第41-43页 |
·紫外-可见及红外透射光谱的测定 | 第41-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第五章 GaSe 及掺杂晶体的频率转换特性 | 第44-60页 |
·纯及掺杂晶体的Sellmeier 方程 | 第44-47页 |
·主要实验仪器介绍及实验光路设计 | 第47-52页 |
·可调谐直流电纵向激励机械Q 调制C02 激光器 | 第47-48页 |
·CO_2 激光器倍频光路设计 | 第48-49页 |
·fs 激光器系统 | 第49-51页 |
·fs 激光器倍频光路设计 | 第51页 |
·实验中所用的探测器 | 第51-52页 |
·GaSe: Te 和GaSe:S 的实验数据分析 | 第52-55页 |
·GaSe: Al 和GaSe: AgGa52 的实验数据分析 | 第55-57页 |
·晶体的损伤阈值,二阶非线性系数,SHG 功率 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-60页 |
论文总结 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
硕士期间发表文章 | 第68-69页 |
摘要 | 第69-77页 |
ABSTRACT | 第77-86页 |