| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-24页 |
| 1.1 半导体材料 | 第11-13页 |
| 1.1.1 半导体材料的定义及特点 | 第11页 |
| 1.1.2 半导体材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.1.3 半导体材料的发展 | 第12-13页 |
| 1.2 锑化镓晶体材料 | 第13-15页 |
| 1.2.1 GaSb晶体的结构特性 | 第13页 |
| 1.2.2 GaSb晶体的电学特性 | 第13-14页 |
| 1.2.3 GaSb晶体的热学特性 | 第14-15页 |
| 1.3 锑化镓晶体的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 锑化镓晶体的国内外研究进展 | 第16-17页 |
| 1.5 锑化镓晶体的生长方法 | 第17-23页 |
| 1.5.1 提拉法 | 第17-18页 |
| 1.5.2 布里奇曼法 | 第18-20页 |
| 1.5.3 垂直梯度凝固法 | 第20-21页 |
| 1.5.4 移动加热器法 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文的研究目的及意义 | 第23页 |
| 1.7 本论文的研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 石英坩埚内壁镀膜实验 | 第24-37页 |
| 2.1 石英坩埚内壁镀膜的意义 | 第24页 |
| 2.2 石英坩埚内壁镀膜的方法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 物理气相沉积 | 第24-25页 |
| 2.2.2 化学气相沉积 | 第25-27页 |
| 2.3 国内外关于石英坩埚内壁镀膜的研究进展 | 第27页 |
| 2.4 镀膜方案的确定 | 第27-28页 |
| 2.4.1 镀膜方式的选择 | 第27页 |
| 2.4.2 碳源的选择 | 第27-28页 |
| 2.4.3 保护气的选择 | 第28页 |
| 2.5 实验过程 | 第28-31页 |
| 2.5.1 实验原料 | 第28页 |
| 2.5.2 实验设备 | 第28-29页 |
| 2.5.3 镀膜流程 | 第29-31页 |
| 2.6 碳膜的表征 | 第31-32页 |
| 2.6.1 扫描电子显微镜 | 第31页 |
| 2.6.2 涂层附着力划痕试验机 | 第31-32页 |
| 2.7 结果与讨论 | 第32-36页 |
| 2.7.1 材料的物性参数 | 第32页 |
| 2.7.2 气体压强对碳膜宏观形貌的影响 | 第32-33页 |
| 2.7.3 气体压强对碳膜微观形貌的影响 | 第33-35页 |
| 2.7.4 气体压强对碳膜与石英坩埚内壁之间结合力的影响 | 第35-36页 |
| 2.8 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 锑化镓晶体的生长与表征 | 第37-43页 |
| 3.1 实验原料和设备 | 第37-38页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第37页 |
| 3.1.2 实验设备 | 第37-38页 |
| 3.2 晶体生长 | 第38-41页 |
| 3.2.0 晶体生长方法的选择 | 第38页 |
| 3.2.1 装料和封装 | 第38页 |
| 3.2.2 GaSb多晶料的合成 | 第38-39页 |
| 3.2.3 GaSb晶体的生长 | 第39-40页 |
| 3.2.4 GaSb晶体的处理 | 第40页 |
| 3.2.5 GaSb晶片的抛光与腐蚀 | 第40-41页 |
| 3.3 晶体表征 | 第41-43页 |
| 3.3.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第41页 |
| 3.3.2 金相组织形貌分析 | 第41-42页 |
| 3.3.3 显微硬度分析 | 第42页 |
| 3.3.4 霍尔效应测试 | 第42-43页 |
| 第四章 碳膜对锑化镓晶体组织和性能的影响 | 第43-50页 |
| 4.1 晶体生长过程的参数设定 | 第43页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 4.2.1 碳膜对GaSb晶体表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.2 碳膜对GaSb晶体位错密度的影响 | 第44-46页 |
| 4.2.3 碳膜对GaSb晶体硬度的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.4 碳膜对GaSb晶体载流子迁移率的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.5 碳膜对GaSb晶体电阻率的影响 | 第48-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 温度梯度对锑化镓晶体组织和性能的影响 | 第50-57页 |
| 5.1 晶体生长过程的参数设定 | 第50-51页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第51-56页 |
| 5.2.1 温度梯度对GaSb晶体结晶度的影响 | 第51-52页 |
| 5.2.2 温度梯度对GaSb晶体位错密度的影响 | 第52-53页 |
| 5.2.3 温度梯度对GaSb晶体硬度的影响 | 第53-54页 |
| 5.2.4 温度梯度对GaSb晶体载流子迁移率的影响 | 第54-55页 |
| 5.2.5 温度梯度对GaSb晶体电阻率的影响 | 第55-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 加速坩埚旋转技术对锑化镓晶体组织演化的影响 | 第57-65页 |
| 6.1 加速坩埚旋转技术 | 第57-58页 |
| 6.2 坩埚旋转参数的选择 | 第58-59页 |
| 6.3 晶体的宏观组织演化 | 第59-60页 |
| 6.3.1 GaSb-02晶体的宏观组织演化 | 第59页 |
| 6.3.2 GaSb-07晶体的宏观组织演化 | 第59-60页 |
| 6.4 晶体的微观形貌 | 第60-63页 |
| 6.4.1 GaSb-02晶体的微观形貌 | 第60-62页 |
| 6.4.2 GaSb-07晶体的微观形貌 | 第62-63页 |
| 6.5 晶体的蚀坑分布 | 第63-64页 |
| 6.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第七章 结论 | 第65-68页 |
| 7.1 论文的主要结论 | 第65-66页 |
| 7.2 论文的创新点 | 第66页 |
| 7.3 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 在读期间公开发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
