| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的基础知识 | 第11-14页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的工作原理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的电学特性 | 第13-14页 |
| 1.3 ZnO-TFT的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 双电层薄膜晶体管的简介 | 第16-18页 |
| 1.4.1 双电层薄膜晶体管的引入 | 第16-17页 |
| 1.4.2 双电层薄膜晶体管的工作模式 | 第17-18页 |
| 1.5 本文的研究意义和主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 器件制备工艺与表征方法 | 第20-30页 |
| 2.1 器件的制备的主要工艺流程 | 第20-26页 |
| 2.1.1 衬底的清洗 | 第21-22页 |
| 2.1.2 栅介质层的选择与制备 | 第22-23页 |
| 2.1.3 ZnO薄膜的制备 | 第23-25页 |
| 2.1.4 源漏电极的制备 | 第25-26页 |
| 2.2 薄膜性能的表征 | 第26-28页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测试 | 第26页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌测试 | 第26-27页 |
| 2.2.3 ZnO薄膜结晶状态分析 | 第27-28页 |
| 2.3 器件性能的表征 | 第28-29页 |
| 2.3.1 I-V特性测试 | 第28页 |
| 2.3.2 C-V特性表征 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 溅射法制备双电层ZnO-TFT性能测试与分析 | 第30-37页 |
| 3.1 鸡蛋清和ZnO薄膜表面形貌分析 | 第30-31页 |
| 3.2 ZnO薄膜质量测试与分析 | 第31-32页 |
| 3.3 ZnO-TFT器件MIS结构的C-V和C-f分析 | 第32-33页 |
| 3.4 ZnO-TFT器件电学性能分析 | 第33-36页 |
| 3.4.1 输出特性 | 第33-35页 |
| 3.4.2 转移特性 | 第35页 |
| 3.4.3 转移特性迟滞效应 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 ALD法制备双电层ZnO-TFT性能测试与分析 | 第37-47页 |
| 4.1 ZnO薄膜表面形貌分析 | 第37-38页 |
| 4.2 ZnO薄膜质量测试与分析 | 第38-39页 |
| 4.3 ZnO-TFT器件电特性分析 | 第39-42页 |
| 4.3.1 输出特性 | 第39-40页 |
| 4.3.2 转移特性 | 第40-41页 |
| 4.3.3 转移特性迟滞效应 | 第41-42页 |
| 4.4 有源层厚度对双电层ZnO-TFT电性能的影响 | 第42-46页 |
| 4.4.1 有源层厚度对ZnO薄膜质量的影响 | 第42-43页 |
| 4.4.2 有源层厚度对双电层ZnO-TFT器件电特性的影响 | 第43-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 ZnO-TFT的稳定性分析 | 第47-67页 |
| 5.1 栅应力稳定性 | 第47-55页 |
| 5.1.1 测试方法 | 第47-48页 |
| 5.1.2 溅射法制备的ZnO-TFT器件的实验结果与分析 | 第48-52页 |
| 5.1.3 ALD法制备的ZnO-TFT器件实验结果与分析 | 第52-55页 |
| 5.2 漏应力稳定性 | 第55-63页 |
| 5.2.1 测试方法 | 第55-56页 |
| 5.2.2 溅射法制备的ZnO-TFT器件的实验结果与分析 | 第56-60页 |
| 5.2.3 ALD法制备的ZnO-TFT器件的实验结果与分析 | 第60-63页 |
| 5.3 空气中的稳定性 | 第63-65页 |
| 5.3.1 测试方法 | 第63-64页 |
| 5.3.2 实验结果分析 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 附件 | 第78页 |
