| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 气体传感器简述 | 第8-13页 |
| 1.1.1 气体传感器的分类 | 第9-11页 |
| 1.1.2 气体传感器的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 气体传感器的特点及发展方向 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化铟的研究进展与应用 | 第13页 |
| 1.2.1 氧化铟的研究现状 | 第13页 |
| 1.2.2 氧化铟的基本性质 | 第13页 |
| 1.3 氧化铟的制备方法 | 第13-17页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法 | 第14页 |
| 1.3.2 水热合成法 | 第14页 |
| 1.3.3 室温固相合成法 | 第14-15页 |
| 1.3.4 溶胶-凝胶法 | 第15页 |
| 1.3.5 静电纺丝法 | 第15页 |
| 1.3.6 共沉淀法 | 第15-16页 |
| 1.3.7 模板法 | 第16页 |
| 1.3.8 溅射法 | 第16页 |
| 1.3.9 微乳液法 | 第16-17页 |
| 1.4 一维半导体纳米气敏材料的发展现状及趋势 | 第17-19页 |
| 1.4.1 一维纳米气敏材料的优势 | 第17页 |
| 1.4.2 一维纳米气敏材料的发展现状及趋势 | 第17-19页 |
| 1.4.3 半导体气敏传感器目前存在的主要问题 | 第19页 |
| 1.5 本论文的研究思路、研究目的及研究内容和章节安排 | 第19-22页 |
| 1.5.1 本论文的研究思路 | 第19-20页 |
| 1.5.2 本论文的研究目的 | 第20页 |
| 1.5.3 本论文的研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 氧化铟纳米材料的制备及气敏特性 | 第22-32页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 氧化铟纳米材料的制备 | 第22-25页 |
| 2.2.1 氧化铟简介 | 第22-23页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 制备方法 | 第24-25页 |
| 2.3 氧化铟纳米材料的表征 | 第25-27页 |
| 2.3.1 纯净氧化铟纳米带扫描电镜图 | 第25-26页 |
| 2.3.2 纯净氧化铟纳米带的XRD及EDS图谱 | 第26-27页 |
| 2.4 氧化铟纳米带器件的制备及测量 | 第27-29页 |
| 2.4.1 单根氧化铟纳米带器件的制备 | 第27-28页 |
| 2.4.2 氧化铟纳米器件的测量 | 第28-29页 |
| 2.5 纯净氧化铟单根纳米带的气敏特性 | 第29-31页 |
| 2.5.1 纯净氧化铟单根纳米带的欧姆接触 | 第29-30页 |
| 2.5.2 纯净氧化铟单根纳米带的气敏特性 | 第30-31页 |
| 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 Er掺杂氧化铟纳米材料的制备及气敏特性 | 第32-37页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 Er掺杂氧化铟纳米材料的制备与表征 | 第32-34页 |
| 3.2.1 Er掺杂In2O3纳米带扫描电镜图 | 第32-33页 |
| 3.2.2 Er掺杂氧化铟纳米带的XRD和EDX图谱 | 第33-34页 |
| 3.3 Er掺杂氧化铟纳米器件的制备及其气敏特性 | 第34-36页 |
| 3.3.1 Er掺杂氧化铟单根纳米带器件的制备 | 第34-35页 |
| 3.3.2 Er掺杂氧化铟单根纳米带的气敏特性 | 第35-36页 |
| 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 Eu掺杂氧化铟纳米材料的制备及气敏特性 | 第37-45页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 Eu掺杂氧化铟纳米材料的制备与表征 | 第37-39页 |
| 4.2.1 Eu掺杂氧化铟纳米带扫描电镜图 | 第38页 |
| 4.2.2 Eu掺杂氧化铟的XRD图谱和EDX图谱 | 第38-39页 |
| 4.3 Eu掺杂氧化铟纳米器件的制备及其气敏特性 | 第39-41页 |
| 4.3.1 Eu掺杂氧化铟单根纳米带器件的制备 | 第39页 |
| 4.3.2 Eu掺杂氧化铟单根纳米带的气敏特性 | 第39-41页 |
| 4.4 氧化铟纳米带的生长机理及其气敏机理 | 第41-43页 |
| 4.4.1 氧化铟纳米带的生长机理 | 第41-42页 |
| 4.4.2 氧化铟纳米带的气敏机理 | 第42-43页 |
| 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 论文总结与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 论文总结 | 第45-46页 |
| 5.2 展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及参与基金 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
