电介质材料的介电行为研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-14页 |
| 1.1.1 透波材料的性能要求 | 第10-12页 |
| 1.1.2 透波天线罩材料的类型 | 第12-14页 |
| 1.1.3 微波介电陶瓷材料的测试方法 | 第14页 |
| 1.2 关于透波材料的国内外的研究背景 | 第14-19页 |
| 1.2.1 多孔氮化硅陶瓷的国内外研究背景 | 第14-16页 |
| 1.2.1.1 国外的多孔氮化硅陶瓷的研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2.1.2 国内的多孔氮化硅陶瓷的研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2.2 多孔二氧化硅陶瓷的国内外研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2.2.1 国外的多孔二氧化硅陶瓷的研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2.2.2 国内的多孔二氧化硅陶瓷的研究背景 | 第17页 |
| 1.2.3 关于透波材料介电性能测试的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.2.3.1 谐振法的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2.3.2 网络参数法的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 本文的研究目的和主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 透波材料的介电行为 | 第21-30页 |
| 2.1 电介质的介电常数模型 | 第21-24页 |
| 2.1.1 电介质直流介电常数 | 第21-23页 |
| 2.1.2 电介质复介电常数 | 第23-24页 |
| 2.2 透波材料的介电损耗模型 | 第24-25页 |
| 2.3 复合电介质的介电常数模型 | 第25-28页 |
| 2.3.1 Maxwell-Wagner方程 | 第25-26页 |
| 2.3.2 Bruggeman对称等效介质理论 | 第26页 |
| 2.3.3 广义等效介质方程（GEM方程） | 第26-28页 |
| 2.4 复合电介质的介电损耗模型 | 第28-30页 |
| 第三章 多孔氮化硅陶瓷的介电性能研究 | 第30-37页 |
| 3.1 致密氮化硅陶瓷的介电常数分析 | 第30-33页 |
| 3.2 致密氮化硅陶瓷的介电损耗分析 | 第33-35页 |
| 3.3 多孔氮化硅陶瓷的介电常数分析 | 第35页 |
| 3.4 多孔氮化硅陶瓷的介电损耗分析 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 多孔二氧化硅陶瓷的介电性能研究 | 第37-45页 |
| 4.1 二氧化硅的性质 | 第37-38页 |
| 4.2 致密二氧化硅陶瓷的介电常数与介电损耗分析 | 第38-43页 |
| 4.2.1 致密二氧化硅陶瓷的介电常数分析 | 第38-42页 |
| 4.2.2 致密二氧化硅陶瓷的介电损耗分析 | 第42-43页 |
| 4.3 多孔二氧化硅陶瓷的介电常数与介电损耗分析 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 电介质的复合介电参数的测试原理 | 第45-53页 |
| 5.1 高Q腔法测试复介电常数的理论基础 | 第45-49页 |
| 5.1.1 分析圆柱谐振腔内部的电场 | 第45-48页 |
| 5.1.2 高Q腔法测试机理 | 第48-49页 |
| 5.2 带状线法测试复介电常数的理论基础 | 第49-52页 |
| 5.2.1 TEM波在带状线模式下的分布情况 | 第49-51页 |
| 5.2.2 带状线法测试系统的测试机理 | 第51-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第62-63页 |
