| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 太阳电池种类与工作原理 | 第9-10页 |
| 1.3 薄膜太阳电池吸收层制备方法 | 第10-13页 |
| 1.3.1 真空法 | 第11-12页 |
| 1.3.2 非真空法 | 第12-13页 |
| 1.4 铜锌锡硫和铜锡硫薄膜太阳电池研究进展概述 | 第13-16页 |
| 1.4.1 铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS_4)薄膜太阳电池研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4.2 铜锡硫(Cu_2SnS_3)薄膜太阳电池研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 研究内容与意义 | 第16-18页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第16-17页 |
| 1.5.2 研究意义 | 第17-18页 |
| 2 实验方法 | 第18-25页 |
| 2.1 实验方案 | 第18-21页 |
| 2.1.1 溶胶配制与稀释 | 第18-19页 |
| 2.1.2 旋涂与低温预烧结 | 第19页 |
| 2.1.3 热处理 | 第19-20页 |
| 2.1.4 化学水浴法沉积缓冲层 | 第20页 |
| 2.1.5 溅射窗口层 | 第20-21页 |
| 2.2 试剂与仪器 | 第21页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第21页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第21页 |
| 2.3 表征与性能分析方法 | 第21-25页 |
| 2.3.1 薄膜成分分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 薄膜与截面形貌分析 | 第22-23页 |
| 2.3.3 薄膜物相分析 | 第23页 |
| 2.3.4 太阳电池器件光电性能测试 | 第23-25页 |
| 3 溶胶-凝胶法制备铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS_4)薄膜太阳电池的优化 | 第25-39页 |
| 3.1 背接触改性优化 | 第25-32页 |
| 3.1.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.1.2 实验概述 | 第26页 |
| 3.1.3 器件断面形貌与成分 | 第26-27页 |
| 3.1.4 背接触区物相 | 第27-28页 |
| 3.1.5 器件性能对比 | 第28-29页 |
| 3.1.6 不同厚度的TiB_2对背接触区域物相的影响 | 第29-31页 |
| 3.1.7 不同厚度TiB_2对器件性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.2 硫化分压研究 | 第32-38页 |
| 3.2.1 引言 | 第32页 |
| 3.2.2 实验概述 | 第32页 |
| 3.2.3 常压,低压硫化对CZTS吸收层薄膜形貌的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.4 常压,低压硫化对CZTS吸收层薄膜物相的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.5 常压,低压硫化对CZTS薄膜太阳电池性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 溶胶-凝胶法制备铜锡硫(Cu2SnS3)薄膜太阳电池 | 第39-56页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 溶胶-凝胶法制备CTS前驱体薄膜 | 第39-41页 |
| 4.2.1 CTS前驱体溶液配制与稀释 | 第39-40页 |
| 4.2.2 旋涂法制备CTS前驱体薄膜 | 第40-41页 |
| 4.2.3 CTS前驱体薄膜成分、形貌与物相分析 | 第41页 |
| 4.3 低压硫化制作CTS吸收层 | 第41-51页 |
| 4.3.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.3.2 不同Cu/Sn比前驱体薄膜560℃低压硫化后的成分,形貌及物相 | 第42-45页 |
| 4.3.3 不同Cu/Sn比前驱体薄膜580℃低压硫化后的成分,形貌及物相 | 第45-48页 |
| 4.3.4 不同Cu/Sn比前驱体薄膜600℃低压硫化后的成分,形貌及物相 | 第48-50页 |
| 4.3.5 比较与分析 | 第50-51页 |
| 4.4 CTS器件制作与性能分析 | 第51-55页 |
| 4.4.1 器件制作流程概述 | 第51页 |
| 4.4.2 器件性能比较与分析 | 第51-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果目录 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
