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类氖离子的自电离光谱研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-18页
   ·课题研究的目的和意义第9-10页
   ·原子与离子高激发态、自电离态的研究及进展第10-17页
     ·原子离子的高激发态、自电离态第10页
     ·原子及离子高激发态研究的方法第10-13页
     ·最弱受束缚电子势模型理论的发展第13-14页
     ·R矩阵理论的发展第14-15页
     ·国内外研究现状及水平第15-17页
   ·本文的工作第17-18页
2 最弱受束缚理论及Kr Ⅱ Rydberg能态的理论计算第18-27页
   ·最弱受约束电子势模型理论第18-19页
   ·Kr Ⅱ离子的Rydberg态的计算第19-25页
     ·Kr Ⅱ离子的研究简介第19-20页
     ·计算方法及过程第20页
     ·计算结果及讨论第20-25页
   ·结论第25-27页
3 R矩阵理论第27-37页
   ·引言第27-28页
   ·R矩阵的基本思想第28-29页
   ·R矩阵具体理论分析第29-37页
     ·R矩阵理论所描述的物理过程第29页
     ·运动方程第29-30页
     ·靶态第30-31页
     ·散射通道第31页
     ·组态空间的划分第31-32页
     ·内部区域、R-矩阵、外部区域第32-35页
     ·内域与外域的连接及K矩阵第35-37页
4 QB理论方法第37-41页
   ·引言第37页
   ·共振态(或自电离)能级的位置第37-38页
   ·自电离宽度第38-40页
   ·自电离能态的识别第40-41页
5 类氖Ti离子的自电离研究第41-51页
   ·引言第41-42页
   ·R矩阵与QB理论结合研究自电离问题第42页
   ·类氖Ti离子的计算第42-50页
   ·结论第50-51页
6 总结与展望第51-52页
致谢第52-53页
参考文献第53-59页
研究生期间论文发表与获奖情况第59页
 论文发表情况第59页
 获奖情况第59页

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