摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-18页 |
·课题研究的目的和意义 | 第9-10页 |
·原子与离子高激发态、自电离态的研究及进展 | 第10-17页 |
·原子离子的高激发态、自电离态 | 第10页 |
·原子及离子高激发态研究的方法 | 第10-13页 |
·最弱受束缚电子势模型理论的发展 | 第13-14页 |
·R矩阵理论的发展 | 第14-15页 |
·国内外研究现状及水平 | 第15-17页 |
·本文的工作 | 第17-18页 |
2 最弱受束缚理论及Kr Ⅱ Rydberg能态的理论计算 | 第18-27页 |
·最弱受约束电子势模型理论 | 第18-19页 |
·Kr Ⅱ离子的Rydberg态的计算 | 第19-25页 |
·Kr Ⅱ离子的研究简介 | 第19-20页 |
·计算方法及过程 | 第20页 |
·计算结果及讨论 | 第20-25页 |
·结论 | 第25-27页 |
3 R矩阵理论 | 第27-37页 |
·引言 | 第27-28页 |
·R矩阵的基本思想 | 第28-29页 |
·R矩阵具体理论分析 | 第29-37页 |
·R矩阵理论所描述的物理过程 | 第29页 |
·运动方程 | 第29-30页 |
·靶态 | 第30-31页 |
·散射通道 | 第31页 |
·组态空间的划分 | 第31-32页 |
·内部区域、R-矩阵、外部区域 | 第32-35页 |
·内域与外域的连接及K矩阵 | 第35-37页 |
4 QB理论方法 | 第37-41页 |
·引言 | 第37页 |
·共振态(或自电离)能级的位置 | 第37-38页 |
·自电离宽度 | 第38-40页 |
·自电离能态的识别 | 第40-41页 |
5 类氖Ti离子的自电离研究 | 第41-51页 |
·引言 | 第41-42页 |
·R矩阵与QB理论结合研究自电离问题 | 第42页 |
·类氖Ti离子的计算 | 第42-50页 |
·结论 | 第50-51页 |
6 总结与展望 | 第51-52页 |
致谢 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-59页 |
研究生期间论文发表与获奖情况 | 第59页 |
论文发表情况 | 第59页 |
获奖情况 | 第59页 |