典型核用金属结构材料中缺陷行为的计算模拟研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 单相浓缩固溶合金的性能优点 | 第13-14页 |
| 1.2 单相浓缩固溶合金抗辐照性能的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 辐照条件下点缺陷在材料中的产生和演化 | 第17-22页 |
| 1.4 位错环对合金抗辐照性能的影响 | 第22-23页 |
| 1.5 合金中辐照诱导偏析现象的研究进展 | 第23-25页 |
| 1.6 晶界对钨中氦团簇行为的影响 | 第25-27页 |
| 1.7 本论文的研究目标和结构安排 | 第27-30页 |
| 第二章 计算模拟方法 | 第30-46页 |
| 2.1 核材料研究中的第一原理方法 | 第31-40页 |
| 2.1.1 第一原理方法的基本原理和计算工具 | 第31-37页 |
| 2.1.2 第一原理方法的应用领域 | 第37-39页 |
| 2.1.3 VASP软件简介 | 第39-40页 |
| 2.2 经典分子动力学方法 | 第40-46页 |
| 2.2.1 分子动力学的基本原理 | 第40-44页 |
| 2.2.2 原子间相互作用势 | 第44-45页 |
| 2.2.3 LAMMPS软件简介 | 第45-46页 |
| 第三章 空位团簇的稳定性与迁移特性 | 第46-62页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 计算模型及方法 | 第46-48页 |
| 3.3 单空位及空位团簇形成能 | 第48-52页 |
| 3.4 空位团簇结合能 | 第52-55页 |
| 3.5 空位团簇迁移能 | 第55-60页 |
| 3.5.1 单空位迁移 | 第56-57页 |
| 3.5.2 双空位迁移 | 第57-59页 |
| 3.5.3 三空位迁移 | 第59-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 自间隙原子的稳定性与迁移特性 | 第62-76页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 计算模型及方法 | 第62-63页 |
| 4.3 自间隙原子形成能 | 第63-66页 |
| 4.4 自间隙原子的迁移特性 | 第66-72页 |
| 4.5 乱序构型中自间隙原子的稳定性 | 第72-75页 |
| 4.6 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 位错环的形状倾向及辐照诱导偏析 | 第76-88页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 计算模型及方法 | 第77-78页 |
| 5.3 原子间相互作用势的有效性验证 | 第78-82页 |
| 5.4 间隙位错环的形状倾向 | 第82-84页 |
| 5.5 位错环上的元素辐照诱导偏析 | 第84-87页 |
| 5.6 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 层错环形成的影响因素 | 第88-96页 |
| 6.1 引言 | 第88页 |
| 6.2 堆垛层错能的计算 | 第88-89页 |
| 6.3 堆垛层错能对层错环形成的影响 | 第89-91页 |
| 6.4 动力学效应对层错环形成的影响 | 第91-93页 |
| 6.5 本章小结 | 第93-96页 |
| 第七章 氦在钨晶界上的偏析及扩散行为 | 第96-108页 |
| 7.1 引言 | 第96页 |
| 7.2 计算模型及方法 | 第96-98页 |
| 7.2.1 第一原理方法 | 第96-97页 |
| 7.2.2 经典分子动力学方法 | 第97页 |
| 7.2.3 计算模型和基本特性 | 第97-98页 |
| 7.3 间隙He在晶界结构中的偏析行为 | 第98-101页 |
| 7.4 He在晶界结构中的扩散行为 | 第101-103页 |
| 7.5 He捕获对晶界迁移的影响 | 第103-106页 |
| 7.6 本章小结 | 第106-108页 |
| 结论 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-130页 |
| 作者简介 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第134页 |
