| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-11页 |
| ·太阳能电池用硅材料中痕量杂质分析的重要意义 | 第7-8页 |
| ·高纯材料的痕量分析 | 第8-9页 |
| ·本文的基本构想和研究内容 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-19页 |
| ·世界能源概况 | 第11-12页 |
| ·太阳能的利用 | 第12-15页 |
| ·太阳能光伏技术 | 第12-13页 |
| ·世界光伏产业的发展状况 | 第13-15页 |
| ·太阳能电池及太阳能级硅材料的发展状况 | 第15-19页 |
| ·太阳能电池原理简介 | 第15页 |
| ·太阳能电池分类 | 第15-16页 |
| ·太阳能电池产业的发展对太阳能级硅材料的需求十分巨大 | 第16-19页 |
| 第三章 晶体硅中痕量金属杂质分析 | 第19-33页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·硅中的金属杂质 | 第19-24页 |
| ·金属杂质在硅中的存在形式 | 第19-20页 |
| ·金属在硅中的固溶度 | 第20-21页 |
| ·硅中金属的扩散系数 | 第21-23页 |
| ·金属沉淀 | 第23-24页 |
| ·金属杂质对太阳能电池性能的影响 | 第24-25页 |
| ·太阳能级多晶硅的纯度及相关技术要求 | 第25-27页 |
| ·棒状、块状硅 | 第26页 |
| ·粉状多晶硅 | 第26-27页 |
| ·碳头料 | 第27页 |
| ·粉状料 | 第27页 |
| ·高纯硅中痕量杂质分析技术进展 | 第27-30页 |
| ·质谱的无机痕量分析 | 第27-28页 |
| ·二次离子质谱（SIMS）法 | 第28页 |
| ·高解析辉光放电质谱（GDMS）法 | 第28-29页 |
| ·电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）法 | 第29-30页 |
| ·太阳能级硅材料中痕量杂质分析方法的比较 | 第30-33页 |
| 第四章 电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）技术 | 第33-43页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·ICP-MS 的发展 | 第33-34页 |
| ·ICP-MS 的特点 | 第34-35页 |
| ·ICP-MS 的基本原理 | 第35-40页 |
| ·炬管和ICP 离子源 | 第36页 |
| ·等离子体和质谱仪之间的接口 | 第36-37页 |
| ·离子透镜系统 | 第37-38页 |
| ·四级杆 | 第38-40页 |
| ·离子检测器 | 第40页 |
| ·与仪器相关的概念 | 第40-43页 |
| 第五章ICP-MS 实验方法分析及结论 | 第43-55页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·仪器及主要工作参数的选择 | 第43页 |
| ·主要试剂和溶液的配制 | 第43-44页 |
| ·器皿及工作室 | 第44页 |
| ·样品处理 | 第44页 |
| ·干扰分析 | 第44-49页 |
| ·同量异位素干扰 | 第44-45页 |
| ·多原子离子干扰 | 第45页 |
| ·氧化物干扰 | 第45-46页 |
| ·双电荷干扰 | 第46页 |
| ·基体抑制干扰 | 第46页 |
| ·物理效应干扰 | 第46-47页 |
| ·ICP-MS 的稳定性 | 第47页 |
| ·其它干扰 | 第47-48页 |
| ·待测元素中潜在的谱干扰及同位素的选择 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-53页 |
| ·基体影响及内标选择 | 第49-51页 |
| ·方法的精密度及检测限 | 第51-52页 |
| ·加标回收实验 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第六章总结和展望 | 第55-57页 |
| ·全文总结 | 第55-56页 |
| ·存在的问题和展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 研究成果 | 第63-64页 |