| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 聚变能的提出 | 第10-11页 |
| 1.1.1 可控核聚变的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 面向等离子体材料 | 第11-13页 |
| 1.3 面向等离子体钨基材料辐照损伤的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 本论文的研究目的和研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础 | 第18-31页 |
| 2.1 辐照缺陷的产生机制 | 第18-21页 |
| 2.1.1 载能粒子同固体的相互作用机制 | 第18页 |
| 2.1.2 缺陷的形成 | 第18-19页 |
| 2.1.3 缺陷的扩散 | 第19-20页 |
| 2.1.4 辐照增强扩散效应(RED) | 第20-21页 |
| 2.2 影响注入层损伤情况的因素 | 第21-25页 |
| 2.2.1 入射离子的能量 | 第21-22页 |
| 2.2.2 注入温度 | 第22-23页 |
| 2.2.3 注入剂量及剂量率 | 第23-24页 |
| 2.2.4 晶体取向 | 第24-25页 |
| 2.2.5 离子的剂量和质量 | 第25页 |
| 2.3 氦气泡的形核与生长 | 第25-31页 |
| 2.3.1 氦原子的迁移 | 第25-26页 |
| 2.3.2 气泡成核 | 第26-28页 |
| 2.3.3 气泡的生长 | 第28-31页 |
| 第三章 实验设备和实验方法 | 第31-44页 |
| 3.1 低能强流离子源平台 | 第31-33页 |
| 3.1.1 真空系统 | 第32页 |
| 3.1.2 束流引出、监测系统 | 第32-33页 |
| 3.1.3 冷却系统 | 第33页 |
| 3.2 样品制备 | 第33-38页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜样品制备 | 第33-37页 |
| 3.2.2 透射电子显微镜样品制备 | 第37-38页 |
| 3.3 真空热处理 | 第38-39页 |
| 3.4 测试表征方法 | 第39-44页 |
| 3.4.1 扫描电子显微镜表征 | 第39-41页 |
| 3.4.2 原子力显微镜表征 | 第41-44页 |
| 第四章 结果分析讨论 | 第44-60页 |
| 4.1 原始钨片的微观结构表征 | 第44-47页 |
| 4.1.1 两种样品表面的SEM表征 | 第44页 |
| 4.1.2 两种样品表面的AFM表征 | 第44-46页 |
| 4.1.3 两种样品横截面的SEM表征 | 第46-47页 |
| 4.2 辐照剂量对钨样品表面微观结构的影响 | 第47-55页 |
| 4.2.1 钨的表面形貌分析 | 第48-50页 |
| 4.2.2 钨辐照后的缺陷分析 | 第50-55页 |
| 4.3 不同抛光方式对钨样品表面微观结构的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.1 不同抛光条件下未辐照样品的SEM表征 | 第55-56页 |
| 4.3.2 不同抛光方式的钨样品在氦离子注入后的SEM表征 | 第56-57页 |
| 4.4 晶面取向对辐照后钨样品表面形貌的影响 | 第57-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 本工作的主要结论 | 第60页 |
| 5.2 展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 在学期间研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |