| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 透明铁电陶瓷 | 第10-13页 |
| 1.2.1 铅基钙钛矿结构弛豫铁电体的概念 | 第10-11页 |
| 1.2.2 PLZT电光陶瓷的结构 | 第11-13页 |
| 1.3 铁电陶瓷的微观结构 | 第13-18页 |
| 1.3.1 铁电陶瓷的电畴与内应力 | 第13-16页 |
| 1.3.2 晶粒生长动力学理论 | 第16-17页 |
| 1.3.3 晶粒长大的实验研究 | 第17-18页 |
| 1.4 透明铁电陶瓷的电光特性 | 第18-21页 |
| 1.4.1 PLZT陶瓷的电光效应 | 第18-19页 |
| 1.4.2 电控可变双折射 | 第19-20页 |
| 1.4.3 电控可变光散射 | 第20-21页 |
| 1.4.4 电控表面形变 | 第21页 |
| 1.5 透明铁电陶瓷的通氧热压烧结工艺 | 第21-23页 |
| 1.6 PLZT电光陶瓷发展现状[53-57] | 第23页 |
| 1.7 本论文的研究意义及主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 样品制备与性能表征的方法 | 第25-31页 |
| 2.1 材料的制备 | 第25-27页 |
| 2.1.1 晶种的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.2 陶瓷材料的制备 | 第26-27页 |
| 2.2 PLZT陶瓷样品制备工艺流程 | 第27-28页 |
| 2.3 仪器设备 | 第28页 |
| 2.4 PLZT样品的性能表征 | 第28-31页 |
| 2.4.1 相结构分析 | 第28-29页 |
| 2.4.2 显微结构分析 | 第29页 |
| 2.4.3 介电性能测试 | 第29页 |
| 2.4.4 铁电性能测试 | 第29-30页 |
| 2.4.5 透过率 | 第30页 |
| 2.4.6 电控光散射性能 | 第30-31页 |
| 第三章 晶种含量对PLZT(8/68/32)性能的影响 | 第31-41页 |
| 3.1 晶种诱导陶瓷晶粒生长 | 第31-33页 |
| 3.1.1 晶粒在固相烧结中的结合方式 | 第31-33页 |
| 3.1.2 晶种诱导晶粒生长机制 | 第33页 |
| 3.2 晶种引入量对物相结构的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 晶种引入量对显微结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 晶种引入量对铁电性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 晶种引入量对介电性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.6 PLZT电光陶瓷光学性能的研究 | 第38-40页 |
| 3.6.1 透过率 | 第38页 |
| 3.6.2 光散射性能 | 第38-40页 |
| 3.7 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 晶种的煅烧温度对PLZT电光陶瓷性能的影响 | 第41-48页 |
| 4.1 煅烧温度对物相结构的影响 | 第41-42页 |
| 4.2 煅烧温度对显微结构的影响 | 第42页 |
| 4.3 煅烧温度对铁电性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.4 煅烧温度对介电性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.5 煅烧温度对透过率的影响 | 第45页 |
| 4.6 煅烧温度对光散射性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 退火处理对PLZT(8/68/32)电光陶瓷的影响 | 第48-54页 |
| 5.1 退火处理对PLZT(8/68/32)物相结构的影响 | 第48-49页 |
| 5.2 退火处理对PLZT(8/68/32)显微结构的影响 | 第49页 |
| 5.3 退火处理对PLZT(8/68/32)介电性能的影响 | 第49-50页 |
| 5.4 退火处理对PLZT(8/68/32)铁电性能的影响 | 第50-52页 |
| 5.5 退火处理对PLZT(8/68/32)光散性能的影响 | 第52-53页 |
| 5.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
