介质超材料的偏振控制特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 概述 | 第10页 |
| 1.2 超材料的研究历史及现状 | 第10-12页 |
| 1.3 介质超材料的发展与应用 | 第12-17页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第17-19页 |
| 第2章 介质超材料的设计理论及方案 | 第19-31页 |
| 2.1 超材料的电磁理论基础 | 第19-21页 |
| 2.2 介质超材料的理论基础 | 第21-25页 |
| 2.3 介质超材料的相位及偏振调控特性的研究 | 第25-28页 |
| 2.4 介质超材料的仿真方法 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 介质超材料的耦合效应及偏振转换 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 单层条形介质超材料的偏振转换 | 第31-35页 |
| 3.2.1 结构设计方案 | 第31-32页 |
| 3.2.2 仿真结果及分析 | 第32-35页 |
| 3.3 双层条形介质超材料的偏振转换耦合增强 | 第35-42页 |
| 3.3.1 结构设计方案 | 第35-36页 |
| 3.3.2 仿真结果及分析 | 第36-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 基于梯度相位介质超材料的偏振特性控制 | 第43-56页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 单层全介质分裂环结构的偏振转换 | 第43-44页 |
| 4.2.1 单元结构设计 | 第43-44页 |
| 4.2.2 仿真结果及分析 | 第44页 |
| 4.3 双层分裂环介质超材料的偏振转换 | 第44-49页 |
| 4.3.1 单元结构设计 | 第44-45页 |
| 4.3.2 仿真结果及分析 | 第45-49页 |
| 4.4 基于碳化硅SIC的超表面 | 第49-55页 |
| 4.4.1 碳化硅SiC矩形结构设计的理论基础 | 第49-51页 |
| 4.4.2 碳化硅SiC矩形结构的仿真结果 | 第51-53页 |
| 4.4.3 梯度相位的碳化硅SiC超表面设计 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
