| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第15-18页 |
| 1.2 SRAM存储器抗辐射加固设计需解决的问题 | 第18-20页 |
| 1.3 SRAM存储器抗辐射加固技术国内外研究现状 | 第20-34页 |
| 1.3.1 艺级加固技术 | 第21页 |
| 1.3.2 版图级加固技术 | 第21-23页 |
| 1.3.3 电路级加固技术 | 第23-25页 |
| 1.3.4 系统级加固技术 | 第25-34页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第2章 十进制矩阵码加固SRAM存储器技术 | 第36-51页 |
| 2.1 引言 | 第36-38页 |
| 2.2 DMC码加固技术 | 第38-44页 |
| 2.2.1 DMC故障容错存储器设计 | 第38页 |
| 2.2.2 DMC编码器设计 | 第38-40页 |
| 2.2.3 DMC译码器设计 | 第40-42页 |
| 2.2.4 十进制错误探测的优点 | 第42-44页 |
| 2.3 功能验证及可靠性分析 | 第44-47页 |
| 2.3.1 DMC码功能验证 | 第44页 |
| 2.3.2 DMC码可靠性分析 | 第44-47页 |
| 2.4 DMC码面积、功耗和延迟分析 | 第47-49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 混合ECC码加固SRAM存储器技术 | 第51-73页 |
| 3.1 引言 | 第51-53页 |
| 3.2 MC码设计 | 第53-64页 |
| 3.2.1 MC码结构设计 | 第53-54页 |
| 3.2.2 MC码故障容错存储器设计 | 第54页 |
| 3.2.3 MC码中Hamming编码器设计 | 第54-56页 |
| 3.2.4 MC码中Hamming译码器设计 | 第56-57页 |
| 3.2.5 MC码中穿孔DTI编码器设计 | 第57-59页 |
| 3.2.6 MC码中穿孔DTI译码器设计 | 第59-64页 |
| 3.3 功能验证及可靠性分析 | 第64-67页 |
| 3.3.1 MC码功能验证 | 第64-65页 |
| 3.3.2 MC码可靠性分析 | 第65-67页 |
| 3.4 冗余分析 | 第67-72页 |
| 3.4.1 MC码码率的分析 | 第67页 |
| 3.4.2 MC码面积、功耗及时钟频率分析 | 第67-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第4章 抗多节点翻转存储器单元加固设计 | 第73-106页 |
| 4.1 引言 | 第73-78页 |
| 4.2 抗辐射RHM-N存储单元设计 | 第78-87页 |
| 4.2.1 抗辐射RHM-N单元结构设计 | 第79-81页 |
| 4.2.2 抗单粒子翻转分析 | 第81-84页 |
| 4.2.3 抗辐射RHM-N单元版图设计 | 第84-85页 |
| 4.2.4 抗单粒子翻转模拟及验证 | 第85-87页 |
| 4.3 抗辐射RHM-P存储单元设计 | 第87-94页 |
| 4.3.1 抗辐射RHM-P单元结构设计 | 第87-89页 |
| 4.3.2 抗单粒子翻转分析及验证 | 第89-93页 |
| 4.3.3 抗辐射RHM-P单元版图设计 | 第93-94页 |
| 4.4 构造的抗辐射存储单元性能比较 | 第94-104页 |
| 4.4.1 抗单粒子翻转比较 | 第94-95页 |
| 4.4.2 存取时间比较 | 第95-97页 |
| 4.4.3 静态噪声容限比较 | 第97-100页 |
| 4.4.4 面积和功耗比较 | 第100-103页 |
| 4.4.5 工艺波动影响比较 | 第103-104页 |
| 4.5 本章小结 | 第104-106页 |
| 结论 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-121页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 | 第121-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 个人简历 | 第126页 |