| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 微机电系统简介 | 第8-9页 |
| 1.2 反铁电材料概述 | 第9-12页 |
| 1.2.1 反铁电材料的发展简史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 反铁电材料的特征 | 第10-11页 |
| 1.2.3 反铁电材料的制备方法及应用 | 第11-12页 |
| 1.3 MEMS面内驱动器的国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.4 双稳态MEMS驱动器的国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.5 论文的研究内容和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 LNO导电薄膜和PLZST反铁电薄膜制备技术研究 | 第20-25页 |
| 2.1 LNO导电薄膜的制备 | 第20-21页 |
| 2.2 PLZST反铁电薄膜的制备 | 第21-24页 |
| 2.2.1 PLZST反铁电溶胶和PbO溶液的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.2 PLZST反铁电薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 不同厚度的PLZST反铁电薄膜结构表征及性能研究 | 第25-30页 |
| 3.1 不同厚度的PLZST反铁电薄膜结构表征 | 第25-26页 |
| 3.2 不同厚度的PLZST反铁电薄膜电学性能及储能性能 | 第26-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 反铁电式双稳态MEMS面内驱动器集成制作技术 | 第30-47页 |
| 4.1 反铁电式双稳态MEMS面内驱动器结构设计、工作原理 | 第30-31页 |
| 4.1.1 MEMS面内驱动器的结构设计 | 第30页 |
| 4.1.2 MEMS面内驱动器的工作原理 | 第30-31页 |
| 4.2 反铁电式双稳态MEMS面内驱动器工艺流程和版图设计 | 第31-33页 |
| 4.2.1 MEMS面内驱动器工艺流程设计 | 第31-32页 |
| 4.2.2 MEMS面内驱动器光刻版图设计 | 第32-33页 |
| 4.3 MEMS面内驱动的关键制作工艺 | 第33-35页 |
| 4.3.1 光刻工艺 | 第33-34页 |
| 4.3.2 刻蚀工艺 | 第34-35页 |
| 4.4 反铁电式双稳态MEMS面内驱动器的制作工艺 | 第35-41页 |
| 4.4.1 SOI硅片的准备 | 第35页 |
| 4.4.2 电极和PLZST反铁电薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 4.4.3 PLZST反铁电薄膜的图形化工艺 | 第36-38页 |
| 4.4.4 正面深Si刻蚀工艺 | 第38-39页 |
| 4.4.5 背面SiO_2刻蚀工艺 | 第39页 |
| 4.4.6 背面Si深硅刻蚀工艺 | 第39-41页 |
| 4.5 压电式MEMS面内驱动器的制作工艺 | 第41-45页 |
| 4.5.1 PNZT薄膜的制备及表征 | 第41-42页 |
| 4.5.2 PNZT薄膜的性能分析 | 第42-43页 |
| 4.5.3 PNZT压电式MEMS面内驱动器制作流程 | 第43-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 反铁电式双稳态MEMS面内驱动器的性能测试分析 | 第47-56页 |
| 5.1 反铁电式双稳态MEMS面内驱动器的测试原理及方法 | 第47-48页 |
| 5.2 反铁电式双稳态MEMS驱动器测试分析 | 第48-55页 |
| 5.2.1 MEMS驱动器面外运动扫频(Scan)模式测试分析 | 第48-52页 |
| 5.2.2 MEMS驱动器面内运动定频(Sine)模式测试分析 | 第52-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论与展望 | 第56-57页 |
| 6.1 主要结论 | 第56页 |
| 6.2 研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
