| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 CTM的提出背景及研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第15页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 CTM概述和本文的研究方法 | 第17-24页 |
| 2.1 CTM的结构和工作原理 | 第17-20页 |
| 2.2 CTM结构的材料选择 | 第20-22页 |
| 2.3 研究方法概述 | 第22-23页 |
| 2.3.1 第一性原理方法 | 第22-23页 |
| 2.3.2 计算软件介绍 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 Si_3N_4本征缺陷存储特性研究 | 第24-35页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 Si_3N_4缺陷模型构造和计算方法 | 第24-26页 |
| 3.3 缺陷模型分析 | 第26-28页 |
| 3.4 存储特性分析 | 第28-33页 |
| 3.4.1 能带分析 | 第28-30页 |
| 3.4.2 态密度分析 | 第30-32页 |
| 3.4.3 巴德电荷分析 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 Si_3N_4/Al_2O_3界面性质研究 | 第35-46页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 Si_3N_4/Al_2O_3界面模型构造 | 第36-40页 |
| 4.3 Si_3N_4/Al_2O_3界面结构的优化 | 第40-41页 |
| 4.4 Si_3N_4/Al_2O_3界面体系的电子特性 | 第41-44页 |
| 4.4.1 界面体系的电子态密度分析 | 第41-43页 |
| 4.4.2 界面体系的电荷分布 | 第43-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第46页 |
| 5.2 对未来的展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附图 | 第53-54页 |
| 附表 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56页 |
