| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-28页 |
| 2.1 太阳电池技术 | 第12-16页 |
| 2.1.1 太阳电池的工作原理 | 第12-14页 |
| 2.1.2 太阳电池的制备工艺 | 第14-16页 |
| 2.2 晶体硅中的结构缺陷 | 第16-21页 |
| 2.2.1 晶体硅中的位错 | 第16-18页 |
| 2.2.2 晶体硅中的晶界 | 第18-21页 |
| 2.3 晶体硅中的金属杂质 | 第21-25页 |
| 2.3.1 金属杂质的引入 | 第21-22页 |
| 2.3.2 金属杂质的溶解、扩散和沉淀 | 第22-24页 |
| 2.3.3 金属杂质对晶体硅太阳电池性能的影响 | 第24-25页 |
| 2.4 本文研究问题的提出 | 第25-28页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第28-36页 |
| 3.1 实验样品和制备 | 第28-29页 |
| 3.1.1 实验样品 | 第28页 |
| 3.1.2 样品制备 | 第28-29页 |
| 3.2 实验及测试设备 | 第29-36页 |
| 3.2.1 瞬态微波光电导寿命测试仪 | 第29-31页 |
| 3.2.2 扫描红外显微镜 | 第31-32页 |
| 3.2.3 深能级瞬态谱仪 | 第32-34页 |
| 3.2.4 量子效率测试系统 | 第34页 |
| 3.2.5 扫描电子显微镜 | 第34-35页 |
| 3.2.6 电致发光成像 | 第35-36页 |
| 第四章 直拉硅中原生缺陷对铁的低温吸杂研究 | 第36-46页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 实验 | 第37-38页 |
| 4.2.1 铁沾污样品的制备 | 第37页 |
| 4.2.2 间隙铁浓度变化测试 | 第37-38页 |
| 4.2.3 扫描红外表征 | 第38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-45页 |
| 4.3.1 低温热处理下铁沉淀的动力学行为研究 | 第38-42页 |
| 4.3.2 利用扫描红外显微镜对铁吸杂中心本质的研究 | 第42-45页 |
| 4.4 小结 | 第45-46页 |
| 第五章 晶体硅太阳电池黑心现象的成因分析 | 第46-58页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 实验 | 第46-47页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第47-56页 |
| 5.3.1 黑心电池片的性能研究 | 第47-50页 |
| 5.3.2 黑心电池片体材料的缺陷研究 | 第50-52页 |
| 5.3.3 原生黑心硅片的性能和缺陷研究 | 第52-56页 |
| 5.4 小结 | 第56-58页 |
| 第六章 镍沾污对晶界电学性能的影响研究 | 第58-70页 |
| 6.1 引言 | 第58-59页 |
| 6.2 实验 | 第59-60页 |
| 6.2.1 直接键合硅片预处理 | 第59页 |
| 6.2.2 镍沾污样品的制备 | 第59-60页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第60-68页 |
| 6.3.1 DLTS瞬态电容测试的参数选择 | 第60-61页 |
| 6.3.2 洁净晶界的测试结果 | 第61-64页 |
| 6.3.3 原始镍沾污晶界和后续450℃热处理晶界的测试结果 | 第64-66页 |
| 6.3.4 镍沾污及后续热处理对晶界电学性能的影响 | 第66-68页 |
| 6.4 小结 | 第68-70页 |
| 第七章 全文总结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 个人简介 | 第82-84页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第84页 |
