| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| ·半导体和纳米材料 | 第15-17页 |
| ·纳米半导体的特殊性质 | 第17-19页 |
| ·光学性质 | 第17-18页 |
| ·光催化特性 | 第18页 |
| ·光电转换特性 | 第18-19页 |
| ·电学特性 | 第19页 |
| ·纳米半导体的应用 | 第19-21页 |
| ·气敏性与传感器 | 第19页 |
| ·新型能源应用 | 第19-20页 |
| ·信息材料 | 第20页 |
| ·半导体光催化性 | 第20-21页 |
| ·纳米半导体材料的应用前景展望 | 第21页 |
| ·SnO_2纳米线的研究现状 | 第21-25页 |
| ·SnO_2纳米线的性质与应用 | 第21-23页 |
| ·SnO_2纳米线的制备方法 | 第23-25页 |
| ·静电纺丝技术 | 第25-29页 |
| ·静电纺技术的基本原理 | 第25-27页 |
| ·静电纺丝的影响因素 | 第27页 |
| ·静电纺丝技术的应用 | 第27-29页 |
| ·SnO_2/TiO_2复合膜的研究现状 | 第29-32页 |
| ·本课题的研究内容和创新之处 | 第32-35页 |
| 第二章 SnO_2纳米线的制备及表征 | 第35-47页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第35-36页 |
| ·实验试剂 | 第35页 |
| ·实验仪器与设备 | 第35-36页 |
| ·实验方法 | 第36-37页 |
| ·前驱体液的配制 | 第36页 |
| ·静电纺丝方法制备SnO_2纳米线 | 第36页 |
| ·分析和表征 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-45页 |
| ·PVP浓度对静电纺丝的影响 | 第37-39页 |
| ·外加电压对静电纺丝的影响 | 第39-40页 |
| ·接收板距离对静电纺丝的影响 | 第40-42页 |
| ·前驱体液中无机物含量对SnO_2纳米线的影响 | 第42-43页 |
| ·SnO_2纳米线形成机理 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 SnO_2/TiO_2复合膜的制备及表征 | 第47-53页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第47-48页 |
| ·实验试剂 | 第47-48页 |
| ·实验仪器与设备 | 第48页 |
| ·SnO_2/TiO_2复合膜的制备 | 第48-50页 |
| ·涂膜技术的筛选 | 第48-49页 |
| ·制备SnO_2/TiO_2复合膜 | 第49-50页 |
| ·分析和表征 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 SnO_2/TiO_2复合膜的光电性能研究 | 第53-57页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第53-54页 |
| ·实验试剂 | 第53页 |
| ·实验仪器与设备 | 第53-54页 |
| ·实验方法 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-56页 |
| ·不同直径SnO_2/TiO_2膜电极光电性能研究 | 第54-55页 |
| ·SnO_2、TiO_2、SnO_2/TiO_2膜电极光电性能对比研究 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 SnO_2/TiO_2复合膜的光电催化性能研究 | 第57-61页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第57-58页 |
| ·实验试剂 | 第57-58页 |
| ·实验仪器与设备 | 第58页 |
| ·实验方法 | 第58页 |
| ·SnO_2、TiO_2、SnO_2/TiO_2膜电极光电催化性能研究 | 第58-60页 |
| ·外加偏压对复合电极光催化性能的影响 | 第58-60页 |
| ·SnO_2、TiO_2、SnO_2/TiO_2膜电极光电催化性能的比较 | 第60页 |
| ·机理研究 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69-71页 |
| 作者和导师简介 | 第71页 |
