| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 能源转换材料简介 | 第11-15页 |
| 1.1.1 半导体的光催化反应概述 | 第11-12页 |
| 1.1.2 半导体的光电催化概述 | 第12-14页 |
| 1.1.3 半导体的电催化反应概述 | 第14-15页 |
| 1.2 几种硒化物催化剂简介 | 第15-23页 |
| 1.2.1 Bi_2Se_3材料 | 第15-16页 |
| 1.2.2 ZnSe材料 | 第16-19页 |
| 1.2.3 MoSe_2材料 | 第19-23页 |
| 1.3 选题背景及国内外研究现状 | 第23-24页 |
| 1.4 研究课题来源 | 第24-25页 |
| 1.5 本课题的研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 实验材料和表征方法 | 第26-33页 |
| 2.1 实验试剂 | 第26页 |
| 2.2 实验仪器和设备 | 第26-27页 |
| 2.3 表征方法及原理 | 第27-31页 |
| 2.3.1 广角X射线粉末衍射 (XRD) | 第27-28页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 (Raman spectroscopy) | 第28页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 (SEM) | 第28页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 (TEM) | 第28页 |
| 2.3.5 原子力显微电镜 (AFM ) | 第28-29页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱（XPS） | 第29页 |
| 2.3.7 紫外-可见光谱 (UV-visible spectroscopy) | 第29页 |
| 2.3.8 荧光检测器 (Fluorescence Spectrophotometer ) | 第29-30页 |
| 2.3.9 开尔文探针 (SKP) | 第30页 |
| 2.3.10 电化学阻抗谱 (EIS) | 第30-31页 |
| 2.4 性能测试 | 第31-33页 |
| 2.4.1 光催化降解有机污染物测试 | 第31页 |
| 2.4.2 光电催化分解水测试 | 第31-32页 |
| 2.4.3 电催化分解水测试 | 第32-33页 |
| 第3章 Bi_2Se_3超薄纳米片的可控合成及其光催化性能研究 | 第33-42页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-34页 |
| 3.2.1 NaHSe前驱体的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 Bi_2Se_3超薄纳米片的可控制备 | 第34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-40页 |
| 3.3.1 Bi_2Se_3超薄纳米片的表征分析 | 第34-39页 |
| 3.3.2 Bi_2Se_3超薄纳米片的光催化性能测试 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 原位生长ZnO\ZnSe异质结构纳米钉阵列以提高光电化学水氧化性能 | 第42-59页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 4.2.1 ZnO晶种的制备 | 第43页 |
| 4.2.2 ZnO纳米棒阵列的合成 | 第43页 |
| 4.2.3 ZnO\ZnSe异质结构纳米钉阵列的合成 | 第43-44页 |
| 4.3 结果与表征 | 第44-58页 |
| 4.3.1 ZnO\ZnSe纳米钉阵列的表征分析 | 第44-54页 |
| 4.3.2 ZnO\ZnSe异质结构纳米钉阵列的光电化学水氧化性能测试 | 第54-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO复合材料的合成及其电催化析氢性能的探究 | 第59-67页 |
| 5.1 引言 | 第59-60页 |
| 5.2 实验部分 | 第60-61页 |
| 5.2.1 MoSe_2纳米片的合成 | 第60页 |
| 5.2.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO复合材料的合成 | 第60-61页 |
| 5.3 结果与表征 | 第61-66页 |
| 5.3.1 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO复合材料的表征 | 第61-64页 |
| 5.3.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)/rGO复合材料的电化学析氢性能测试 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第82页 |
