| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 量子点的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.1.1 量子限域效应 | 第12-13页 |
| 1.1.2 量子点尺寸相关的光学性质 | 第13-14页 |
| 1.2 核壳结构和合金结构量子点 | 第14-21页 |
| 1.2.1 核壳结构量子点 | 第14-17页 |
| 1.2.2 合金结构量子点 | 第17-21页 |
| 1.3 QLEDs器件研究背景与现状 | 第21-27页 |
| 1.3.1 QLEDs发光二极管研究现状 | 第21-26页 |
| 1.3.2 QLEDs发光机理 | 第26-27页 |
| 1.4 目前存在的问题 | 第27页 |
| 1.5 本论文的研究思路和主要内容 | 第27-28页 |
| 第二章 绿色CdSe@ZnS合金量子点的合成及其性能研究 | 第28-38页 |
| 2.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.2.1 量子点合成实验设备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 量子点合成实验试剂 | 第30页 |
| 2.2.3 量子点合成实验过程 | 第30-31页 |
| 2.2.4 量子点表征仪器与样品制备 | 第31-32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-37页 |
| 2.3.1 绿色CdSe@ZnS合金量子点的荧光光谱和荧光量子产率 | 第32-33页 |
| 2.3.2 绿色CdSe@ZnS合金量子点的XRD表征 | 第33-34页 |
| 2.3.3 绿色CdSe@ZnS合金量子点的TEM表征 | 第34-35页 |
| 2.3.4 绿色CdSe@ZnS合金量子点的瞬态光谱表征 | 第35页 |
| 2.3.5 绿色CdSe@ZnS合金量子点的光学稳定性 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 乙酸调控CdSe@ZnS合金量子点的合成及其荧光稳定性 | 第38-51页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 乙酸调控的量子点合成实验过程 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-46页 |
| 3.3.1 乙酸调控合成的CdSe@ZnS合金量子点的光学表征 | 第39-40页 |
| 3.3.2 乙酸调控合成的CdSe@ZnS合金量子点的TEM表征 | 第40-41页 |
| 3.3.3 乙酸调控合成的CdSe@ZnS合金量子点的XRD表征 | 第41页 |
| 3.3.4 乙酸调控合成的CdSe@ZnS合金量子点的光学稳定性 | 第41-46页 |
| 3.4 不同粒径的CdSe@ZnS/ZnS合金量子点的制备 | 第46-49页 |
| 3.4.1 不同粒径的合金结构CdSe@ZnS/ZnS量子点的荧光与XRD表征 | 第47-48页 |
| 3.4.2 不同粒径的合金结构CdSe@ZnS/ZnS量子点的TEM表征 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 不同粒径的CdSe@ZnS/ZnS合金量子点在QLEDs中的应用 | 第51-64页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 QLEDs器件构筑实验部分 | 第52-55页 |
| 4.2.1 实验材料和实验仪器 | 第52-54页 |
| 4.2.2 QLEDs标准器件构筑过程 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-63页 |
| 4.3.1 器件结构与平带能级图 | 第55-56页 |
| 4.3.2 QLEDs器件结构中传输层和发光层薄膜 | 第56-59页 |
| 4.3.3 基于量子点粒径变化的QLEDs器件性能 | 第59-60页 |
| 4.3.4 紫外光-水处理的量子点对QLEDs器件性能的影响 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-76页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
