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硼/氮原子修饰点缺陷石墨烯电子结构的第一性原理研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 研究背景第9-10页
    1.2 石墨烯中缺陷的种类第10-13页
        1.2.1 点缺陷第11-12页
        1.2.2 一维缺陷第12-13页
    1.3 论文的主要内容第13-14页
    参考文献第14-19页
第二章 计算方法第19-31页
    2.1 第一性原理第19页
    2.2 Born-Oppennheimer近似第19-20页
    2.3 Hatree-Fock近似第20-22页
    2.4 密度泛函理论第22-24页
        2.4.1 Hohenberg-Kohn定理第22-24页
    2.5 交换关联泛函第24-27页
        2.5.1 局域密度近似(local density approximation,LDA)第24-25页
        2.5.2 广义梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)第25-27页
    2.6 相关计算软件包第27-28页
        2.6.1 DMol~3第27页
        2.6.2 VASP第27-28页
    参考文献第28-31页
第三章 硼修饰点缺陷石墨烯电子性质的第一性原理研究第31-61页
    3.1 研究背景第31-33页
    3.2 计算方法第33-34页
    3.3 结果与讨论第34-53页
        3.3.1 结构模型第34-41页
        3.3.2 电子结构分析第41-49页
        3.3.3 STM图像模拟第49-53页
    3.4 结论第53-55页
    参考文献第55-61页
第四章 氮原子修饰点缺陷石墨烯结构和性质的理论研究第61-73页
    4.1 研究背景第61-62页
    4.2 计算方法第62页
    4.3 结果与讨论第62-68页
        4.3.1 氮修饰碳原子对吸附的缺陷石墨烯第63-66页
        4.3.2 氮修饰单个碳原子吸附的缺陷石墨烯第66-68页
    4.4 总结第68-69页
    参考文献第69-73页
致谢第73-75页

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