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典型π-hole及赝π-hole磷键作用性质的理论研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
1 引言第9-12页
2 理论基础第12-18页
    2.1 微扰理论第12-13页
    2.2 QTAIM理论第13-15页
        2.2.1 电子密度函数第14页
        2.2.2 关键点第14-15页
        2.2.3 拉普拉斯量(Laplacian)第15页
    2.3 电子定域函数(ELF)理论第15-16页
    2.4 自然键轨道(NBO)理论第16-17页
    2.5 分子生成密度差(MFDD)理论第17-18页
3 PO_2X···PX_3/PH_2X (X = F, Cl, Br, CH_3, NH_2) 复合物中 π-hole磷键作用的电子密度拓扑分析第18-37页
    3.1 计算方法第18-19页
    3.2 结果与讨论第19-36页
        3.2.1 单体分子的静电势分析第19-20页
        3.2.2 复合物的几何构型和相互作用能第20-24页
        3.2.3 电子密度及能量密度性质分析第24-27页
        3.2.4 非共价相互作用分析第27-29页
        3.2.5 电子定域函数分析第29-31页
        3.2.6 自然键轨道分析第31-36页
    3.3 结论第36-37页
4 复合物XCN/C_6H_6···PO_2Cl···XCN/C_6H_6 (X = F, Cl, Br)中 π-hole磷键和 σ-hole卤键之间的相互影响第37-59页
    4.1 计算方法第37页
    4.2 静电势分析第37-40页
    4.3 平衡构型和相互作用能第40-46页
    4.4 QTAIM分析第46-51页
        4.4.1 分子图第46页
        4.4.2 电子密度分析第46-47页
        4.4.3 拉普拉斯量和能量密度分析第47-51页
    4.5 自然键轨道分析第51-54页
    4.6 分子生成密度差分析第54-58页
    4.7 结论第58-59页
5 P_3X_3和As_3X_3 (X = H, F, Cl, Br) 中赝 π-hole相互作用性质的研究第59-83页
    5.1 计算方法第60页
    5.2 P_3X_3和As_3X_3 (X = H, F, Cl, Br) 静电势分析第60-62页
    5.3 P_3X_3和As_3X_3 (X = H, F, Cl, Br) 中赝 π-hole相互作用第62-75页
        5.3.1 复合物的几何结构和相互作用能第62-65页
        5.3.2 电子密度拓扑分析第65-67页
        5.3.3 非共价相互作用分析第67-69页
        5.3.4 自然键轨道分析第69-72页
        5.3.5 定域分子轨道能量分解分析第72-75页
    5.4 HCN···P_3X_3 /As_3X_3···HCN (X = F, Cl, Br)中赝 π-hole作用与氢键之间的协同作用第75-82页
        5.4.1 P_3X_3和As_3X_3 (X = F, Cl, Br)与HCN之间的氢键作用第75-77页
        5.4.2 三分子复合物的平衡构型和相互作用能第77-80页
        5.4.3 电子密度拓扑分析第80-82页
    5.5 结论第82-83页
参考文献第83-91页
致谢第91-92页
攻读学位期间取得的科研成果清单第92页

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