| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 多模多频发展概述 | 第15-18页 |
| 1.2 多模多频功率放大器研究现状 | 第18-25页 |
| 1.2.1 射频功放发展现状 | 第18-22页 |
| 1.2.2 多模多频功放研究现状 | 第22-25页 |
| 1.3 本论文的研究目的和意义 | 第25-26页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 射频功率放大器设计基本原理 | 第27-54页 |
| 2.1 功率放大器类型 | 第27-36页 |
| 2.1.1 传统功率放大器 | 第27-31页 |
| 2.1.2 开关工作模式功率放大器 | 第31-35页 |
| 2.1.3 不同类型功放性能比较 | 第35-36页 |
| 2.2 功率放大器的失真 | 第36-40页 |
| 2.2.1 谐波失真 | 第36-37页 |
| 2.2.2 互调失真 | 第37-38页 |
| 2.2.3 AM-AM和AM-PM失真 | 第38-40页 |
| 2.3 功率放大器关键性能指标 | 第40-44页 |
| 2.3.1 增益与增益平坦度 | 第40-41页 |
| 2.3.2 1dB输出功率压缩点和三阶互调交截点 | 第41-42页 |
| 2.3.3 效率 | 第42页 |
| 2.3.4 邻信道功率比(ACPR) | 第42-43页 |
| 2.3.5 误差矢量幅度(EVM) | 第43-44页 |
| 2.4 功率放大器的线性化技术 | 第44-48页 |
| 2.4.1 负反馈技术 | 第44-46页 |
| 2.4.2 前馈技术 | 第46页 |
| 2.4.3 包络消除与恢复技术 | 第46-47页 |
| 2.4.4 预失真技术 | 第47-48页 |
| 2.5 功率放大器的效率提升技术 | 第48-53页 |
| 2.5.1 Doherty技术 | 第49-51页 |
| 2.5.2 包络跟踪技术 | 第51-52页 |
| 2.5.3 自适应偏置技术 | 第52-53页 |
| 2.6 小结 | 第53-54页 |
| 第三章 InGaP/GaAs HBT功率放大器温度补偿的设计 | 第54-82页 |
| 3.1 InGaP/GaAs HBT功率器件原理及特性 | 第54-64页 |
| 3.1.1 器件工艺技术及能带结构 | 第54-57页 |
| 3.1.2 GaAs HBT的直流电流增益 | 第57-59页 |
| 3.1.3 GaAs HBT的自热效应 | 第59-64页 |
| 3.2 偏置电路的设计 | 第64-69页 |
| 3.2.1 有源偏置技术 | 第65-68页 |
| 3.2.2 一种带有温度补偿的偏置电路 | 第68-69页 |
| 3.3 带有温度补偿的功放芯片设计 | 第69-76页 |
| 3.3.1 匹配网络 | 第70-71页 |
| 3.3.2 高效输出匹配网络设计 | 第71-73页 |
| 3.3.3 两级功放的仿真设计 | 第73-74页 |
| 3.3.4 芯片版图设计 | 第74-76页 |
| 3.4 芯片测试结果及分析 | 第76-81页 |
| 3.4.1 小信号S参数的测量及分析 | 第76-77页 |
| 3.4.2 大信号参数的测量及分析 | 第77-81页 |
| 3.5 小结 | 第81-82页 |
| 第四章 宽带MMIC功率放大器设计 | 第82-101页 |
| 4.1 宽带高效匹配技术 | 第82-88页 |
| 4.1.1 Q值与带宽 | 第82-83页 |
| 4.1.2 匹配网络设计和效率分析 | 第83-88页 |
| 4.2 宽带输出匹配设计 | 第88-89页 |
| 4.3 4.9GHz～5.9GHz宽带功率放大器设计 | 第89-97页 |
| 4.3.1 宽带功放结构设计 | 第89-90页 |
| 4.3.2 功放电磁建模及协同仿真设计 | 第90-96页 |
| 4.3.3 芯片版图设计 | 第96-97页 |
| 4.4 芯片测试结果及分析 | 第97-99页 |
| 4.5 小结 | 第99-101页 |
| 第五章 面向LTE_A移动终端的多模多频功率放大器设计 | 第101-119页 |
| 5.1 LTE_A协议要求 | 第101-103页 |
| 5.2 功率回退区域效率提升技术 | 第103-105页 |
| 5.3 多模多频功放设计 | 第105-113页 |
| 5.3.1 开关工艺选择 | 第105-106页 |
| 5.3.2 双功率模式宽带功放设计 | 第106-108页 |
| 5.3.3 控制电路设计 | 第108-110页 |
| 5.3.4 功放仿真 | 第110-112页 |
| 5.3.5 芯片版图设计 | 第112-113页 |
| 5.4 芯片测试结果及分析 | 第113-118页 |
| 5.5 小结 | 第118-119页 |
| 结论与展望 | 第119-122页 |
| 1 结论 | 第119-120页 |
| 2 创新点 | 第120-121页 |
| 3 展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-132页 |
| 攻读学位期间取得的成果 | 第132-135页 |
| 致谢 | 第135页 |
