| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 多孔硅膜材料的研究进展及应用 | 第11-19页 |
| 1.1.1 多孔硅膜的制备 | 第11-16页 |
| 1.1.2 多孔硅形成机理 | 第16-17页 |
| 1.1.3 多孔硅膜的龟裂 | 第17-18页 |
| 1.1.4 多孔硅膜的应用 | 第18-19页 |
| 1.2 多孔硅纳米含能材料的研究进展 | 第19-23页 |
| 1.2.1 多孔硅纳米含能材料 | 第20-22页 |
| 1.2.2 多孔硅纳米含能器件 | 第22-23页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第23-24页 |
| 2 多孔硅薄膜制备工艺研究 | 第24-43页 |
| 2.1 多孔硅制备工艺 | 第24页 |
| 2.2 多孔硅制备工艺研究 | 第24-35页 |
| 2.2.1 腐蚀时间对多孔硅孔隙率的影响 | 第25页 |
| 2.2.2 电流强度对多孔硅质量和孔隙率的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.3 氢氟酸浓度对多孔硅质量和孔隙率的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.4 制备条件对多孔硅膜厚度的影响 | 第27-30页 |
| 2.2.5 溶剂对多孔硅厚度的影响 | 第30-35页 |
| 2.3 多孔硅膜的龟裂机理及预防措施研究 | 第35-41页 |
| 2.3.1 多孔硅龟裂机理 | 第35-41页 |
| 2.3.2 多孔硅龟裂的预防 | 第41页 |
| 2.4 小结 | 第41-43页 |
| 3 多孔硅薄膜的稳定化研究 | 第43-53页 |
| 3.1 多孔硅稳定化研究进展 | 第43-46页 |
| 3.2 多孔硅稳定化方案及原理 | 第46-48页 |
| 3.2.1 硅烷偶联剂对多孔硅稳定化的原理 | 第46-47页 |
| 3.2.2 多孔硅稳定化处理工艺 | 第47-48页 |
| 3.3 多孔硅稳定化效果分析 | 第48-52页 |
| 3.3.1 经稳定化处理的多孔硅的红外光谱(FT-IR)分析 | 第48-49页 |
| 3.3.2 多孔硅稳定化对化学反应的影响 | 第49-52页 |
| 3.4 小结 | 第52-53页 |
| 4 多孔硅纳米含能材料薄膜的制备和反应性能研究 | 第53-82页 |
| 4.1 多孔硅纳米含能材料的制备技术研究现状 | 第53-54页 |
| 4.2 氧化剂的选择 | 第54-56页 |
| 4.3 多孔硅纳米含能材料制备方法 | 第56-58页 |
| 4.3.1 制备多孔硅纳米含能材料的滴加填充和浸泡填充技术 | 第56-57页 |
| 4.3.2 制备多孔硅纳米含能材料的超声填充技术 | 第57-58页 |
| 4.4 多孔硅纳米含能材料在脉冲激光点火下的燃烧特性研究 | 第58-74页 |
| 4.4.1 激光点火测试系统 | 第58-59页 |
| 4.4.2 滴加填充法制备的多孔硅纳米含能材料燃烧性能 | 第59-60页 |
| 4.4.3 超声填充技术制备的多孔硅纳米含能材料的燃烧性能 | 第60-64页 |
| 4.4.4 激光能量对多孔硅纳米含能芯片反应性能的影电 | 第64-69页 |
| 4.4.5 多孔桂膜制备条件对多孔桂纳米含能材料燃烧性能的影响 | 第69-72页 |
| 4.4.6 多孔娃纳米含能材料在脉冲激光烧烛下的二次燃烧和多次燃烧现象 | 第72-74页 |
| 4.5 多孔硅含能材料的热起爆和热点火研究 | 第74-77页 |
| 4.6 多孔硅纳米含能材料在真空环境中的等离子体起爆现象 | 第77-80页 |
| 4.7 小结 | 第80-82页 |
| 5 多孔硅纳米含能芯片的制备和反应性能研究 | 第82-107页 |
| 5.1 多孔硅纳米含能芯片的制备 | 第82-89页 |
| 5.1.1 多孔硅纳米含能芯片的结构 | 第82-83页 |
| 5.1.2 多孔硅纳米含能芯片的制备 | 第83-89页 |
| 5.2 多孔硅含能材料阵列芯片的电点火研究 | 第89-106页 |
| 5.2.1 金属桥箔在未填充氧化剂的多孔硅膜上的电爆炸现象 | 第91-94页 |
| 5.2.2 多孔硅纳米含能芯片桥区尺寸0.5mm×1.0mm的金属桥箔下的电点火和燃烧特性 | 第94-100页 |
| 5.2.3 多孔硅纳米含能芯片桥区尺寸0.2mm×0.5mm的金属桥箔下的电点火和燃烧特性 | 第100-105页 |
| 5.2.4 基底材料对Cr金属桥箔通电过程的影响 | 第105-106页 |
| 5.3 小结 | 第106-107页 |
| 6 全文总结 | 第107-109页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第107-108页 |
| 6.2 本文创新点 | 第108页 |
| 6.3 不足及展望 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-128页 |
| 附录 | 第128-129页 |
