AlN压电薄膜超声膜厚测量传感器关键技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2.1 电学测量法 | 第15-16页 |
| 1.2.2 光学测量法 | 第16-18页 |
| 1.2.3 超声波测量法 | 第18-19页 |
| 1.3 本文的主要研究目标及内容 | 第19-20页 |
| 第二章 超声波油膜厚度测量理论 | 第20-31页 |
| 2.1 超声波的声学理论 | 第20-23页 |
| 2.1.1 声波的分类 | 第20-21页 |
| 2.1.2 声压 | 第21页 |
| 2.1.3 声速 | 第21-22页 |
| 2.1.4 声阻抗 | 第22-23页 |
| 2.1.5 声衰减 | 第23页 |
| 2.2 垂直入射的声波在分界面处的传播 | 第23-24页 |
| 2.3 声波在三层介质结构中的反射系数 | 第24-30页 |
| 2.3.1 谐振模型 | 第26-28页 |
| 2.3.2 弹簧模型 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 制备AlN薄膜的方法研究 | 第31-39页 |
| 3.1 反应磁控溅射原理 | 第31-33页 |
| 3.1.1 直流磁控溅射法的原理 | 第31-32页 |
| 3.1.2 直流磁控溅射法的优缺点 | 第32页 |
| 3.1.3 射频磁控溅射的特点 | 第32-33页 |
| 3.2 AlN薄膜的生长 | 第33-35页 |
| 3.2.1 临界核的形成 | 第34页 |
| 3.2.2 岛的长大 | 第34页 |
| 3.2.3 连续膜的形成 | 第34-35页 |
| 3.3 AlN薄膜的表征 | 第35-38页 |
| 3.3.1 AlN薄膜结构的表征 | 第35-37页 |
| 3.3.2 AlN压电薄膜厚度的测量 | 第37-38页 |
| 3.3.3 AlN薄膜成分的分析 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 (002)择优取向的氮化铝薄膜的制备 | 第39-62页 |
| 4.1 氮化铝的晶体结构 | 第39-40页 |
| 4.2 氮化铝薄膜的制备方法 | 第40-41页 |
| 4.3 制备技术路线 | 第41-42页 |
| 4.4 溅射装置 | 第42页 |
| 4.5 氮化铝薄膜的制备过程 | 第42-45页 |
| 4.6 工艺参数对氮化铝薄膜取向性的影响 | 第45-59页 |
| 4.6.1 溅射功率对氮化铝薄膜取向性的影响 | 第45-49页 |
| 4.6.2 氮气流量比对氮化铝薄膜取向性的影响 | 第49-51页 |
| 4.6.3 缓冲层材料对氮化铝薄膜取向性的影响 | 第51-59页 |
| 4.7 电极的制备 | 第59-60页 |
| 4.8 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 超声测量油膜厚度的电路设计 | 第62-73页 |
| 5.1 超声波发射电路 | 第62-70页 |
| 5.1.1 脉冲发生电路 | 第62-66页 |
| 5.1.2 放大电路 | 第66-68页 |
| 5.1.3 场效应管驱动电路 | 第68页 |
| 5.1.4 超声波激发电路 | 第68-70页 |
| 5.2 超声波接收电路 | 第70-71页 |
| 5.2.1 超声回波限幅电路 | 第70-71页 |
| 5.2.2 超声回波放大电路 | 第71页 |
| 5.3 高频超声激励电路 | 第71-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第80页 |
