基于电场和气流的光学表面污染物在位去除技术研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-15页 |
1.1 课题来源和研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.2 国内外相关研究现状及分析 | 第9-13页 |
1.2.1 光学元件离线洁净技术的研究现状 | 第9-10页 |
1.2.2 基于气流的光学元件洁净技术研究现状 | 第10-12页 |
1.2.3 基于静电的洁净技术研究现状 | 第12-13页 |
1.3 现阶段存在的问题 | 第13页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
第2章 污染物微粒与光学表面间粘附力分析 | 第15-29页 |
2.1 引言 | 第15页 |
2.2 影响污染物微粒和光学表面的粘附力的因素 | 第15-18页 |
2.2.1 污染物微粒与光学元件的固有属性因素 | 第15-17页 |
2.2.2 污染物微粒和光学元件的相互作用因素 | 第17-18页 |
2.2.3 外界环境因素 | 第18页 |
2.3 污染物微粒与光学表面之间粘附力的分析 | 第18-27页 |
2.3.1 范德华力与微粒尺寸的关系 | 第18-21页 |
2.3.2 静电力与微粒尺寸的关系 | 第21-26页 |
2.3.3 重力与微粒尺寸的关系 | 第26-27页 |
2.3.4 粘附力作用对比 | 第27页 |
2.4 本章小结 | 第27-29页 |
第3章 电场和气流作用下污染物去除的仿真分析 | 第29-45页 |
3.1 引言 | 第29页 |
3.2 电场作用下污染物微粒去除的理论分析 | 第29-31页 |
3.2.1 污染物微粒在电场下受力分析 | 第29-30页 |
3.2.2 去除污染物微粒所需电场强度分析 | 第30-31页 |
3.3 基于ANSYS的电场二维仿真 | 第31-36页 |
3.3.1 ANSYS仿真过程概述 | 第32-34页 |
3.3.2 ANSYS仿真结果分析 | 第34-36页 |
3.4 基于CST的电场三维仿真 | 第36-41页 |
3.4.1 CST仿真过程概述 | 第36-38页 |
3.4.2 CST仿真结果分析 | 第38-41页 |
3.5 结合静电与风刀的去除方法分析 | 第41-44页 |
3.6 本章小结 | 第44-45页 |
第4章 洁净系统的实验分析 | 第45-61页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 实验设计 | 第45-50页 |
4.2.1 实验装置的设计 | 第45-47页 |
4.2.2 污染物微粒及光学元件的选择 | 第47-48页 |
4.2.3 污染物微粒的喷洒与检测 | 第48-50页 |
4.3 基于静电的污染物去除实验研究 | 第50-56页 |
4.4 结合静电和风刀的去除实验研究 | 第56-58页 |
4.5 去除工艺对微粒二次沉降的影响 | 第58-59页 |
4.6 本章小结 | 第59-61页 |
结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
致谢 | 第66页 |