| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 CO__2和C_3H_6光催化直接合成甲基丙烯酸的意义 | 第12页 |
| 1.2 甲基丙烯酸的合成路线 | 第12-14页 |
| 1.3 光促表面催化反应研究概况 | 第14-22页 |
| 1.3.1 光促表面催化反应原理 | 第14-16页 |
| 1.3.2 光促表面催化反应的评价 | 第16-17页 |
| 1.3.3 固体材料光催化活性的影响因素 | 第17-18页 |
| 1.3.4 固体材料光催化活性的增强途径 | 第18-22页 |
| 1.4 CO_2催化还原研究概况 | 第22-27页 |
| 1.4.1 CO_2分子结构分析 | 第22页 |
| 1.4.2 CO_2吸附活化 | 第22-25页 |
| 1.4.3 CO_2光还原研究 | 第25-27页 |
| 1.5 C_3H_6催化氧化研究概况 | 第27-29页 |
| 1.5.1 C=C 双键活化 | 第27-28页 |
| 1.5.2 C-H 键的活化 | 第28页 |
| 1.5.3 C_3H_6光催化研究进展 | 第28-29页 |
| 1.6 本研究的思路与创新点 | 第29-32页 |
| 1.6.1 研究思路 | 第29-30页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第30-31页 |
| 1.6.3 创新点 | 第31-32页 |
| 第二章 实验方法 | 第32-40页 |
| 2.1 催化剂的制备 | 第32-33页 |
| 2.1.1 原料和试剂 | 第32页 |
| 2.1.2 复合半导体的制备 | 第32-33页 |
| 2.1.3 复合半导体负载金属的制备 | 第33页 |
| 2.2 表征方法 | 第33-36页 |
| 2.2.1 热分析(TG-DTA) | 第33页 |
| 2.2.2 X-射线衍射(XRD)分析 | 第33-34页 |
| 2.2.3 程序升温还原(TPR)分析 | 第34页 |
| 2.2.4 比表面积(BET)测定 | 第34页 |
| 2.2.5 透射电镜(TEM)分析 | 第34-35页 |
| 2.2.6 催化剂表面分析(XPS) | 第35页 |
| 2.2.7 红外光谱(IR)分析 | 第35-36页 |
| 2.2.8 激光拉曼光谱(Laser Raman)分析 | 第36页 |
| 2.2.9 紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)分析 | 第36页 |
| 2.3 化学吸附性能表征 | 第36-38页 |
| 2.3.1 复合半导体负载金属-气体吸附红外光谱分析 | 第36-37页 |
| 2.3.2 程序升温脱附-质谱(TPD-MS)分析 | 第37-38页 |
| 2.4 光促表面反应性能评价 | 第38-40页 |
| 2.4.1 实验装置 | 第38-39页 |
| 2.4.2 光促表面催化反应结果计算 | 第39-40页 |
| 第三章 固体材料的组成、结构和性质 | 第40-54页 |
| 3.1 固体材料的化学组成与编号 | 第40页 |
| 3.2 制备过程分析 | 第40-46页 |
| 3.2.1 热分析 | 第40-41页 |
| 3.2.2 XRD 谱图分析 | 第41-43页 |
| 3.2.3 TPR 结果分析 | 第43-46页 |
| 3.3 组成与结构分析 | 第46-52页 |
| 3.3.1 比表面积与粒度 | 第46-47页 |
| 3.3.2 IR 光谱分析 | 第47-48页 |
| 3.3.3 XPS 表面分析 | 第48-49页 |
| 3.3.4 LRS 谱图分析 | 第49-52页 |
| 3.4 固体材料构造模型 | 第52页 |
| 3.5 小结 | 第52-54页 |
| 第四章 复合半导体负载金属光响应性能 | 第54-61页 |
| 4.1 复合半导体光响应性能 | 第54-55页 |
| 4.2 复合半导体负载金属Cu 光响应性能 | 第55-59页 |
| 4.3 复合半导体负载金属Pd、Ag 光响应性能 | 第59-60页 |
| 4.4 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 复合半导体负载金属材料的化学吸附性能 | 第61-79页 |
| 5.1 CO_2在固体材料表面的化学吸附 | 第61-68页 |
| 5.1.1 CO_2在复合半导体表面的化学吸附 | 第61-62页 |
| 5.1.2 CO_2在复合半导体负载金属Cu表面的化学吸附 | 第62-63页 |
| 5.1.3 TPD-MS 结果 | 第63-66页 |
| 5.1.4 CO_2在复合半导体负载金属Pd、Ag表面的化学吸附 | 第66-67页 |
| 5.1.5 TPD-MS 结果 | 第67-68页 |
| 5.2 C_3H_6在固体材料表面的化学吸附 | 第68-75页 |
| 5.2.1 C_3H_6在复合半导体表面的化学吸附 | 第68-70页 |
| 5.2.2 C_3H_6在复合半导体负载金属Cu表面的化学吸附 | 第70-72页 |
| 5.2.3 TPD-MS 结果 | 第72-73页 |
| 5.2.4 C_3H_6在复合半导体负载金属Pd、Ag表面的化学吸附 | 第73-74页 |
| 5.2.5 TPD-MS 结果 | 第74-75页 |
| 5.3 CO_2和C_3H_6在复合半导体负载金属表面的共吸附 | 第75-77页 |
| 5.4 小结 | 第77-79页 |
| 第六章 复合半导体负载金属材料光催化反应性能 | 第79-88页 |
| 6.1 固体材料表面热催化反应结果 | 第79页 |
| 6.2 反应条件对光催化反应性能的影响 | 第79-83页 |
| 6.2.1 反应温度的影响 | 第80页 |
| 6.2.2 反应物空速的影响 | 第80-81页 |
| 6.2.3 反应物配比的影响 | 第81-83页 |
| 6.3 不同固体材料的光催化反应性能 | 第83-87页 |
| 6.3.1 CuMoT 和CuWT 系列催化剂光催化反应性能 | 第83-86页 |
| 6.3.2 不同金属负载复合半导体光催化反应性能 | 第86-87页 |
| 6.4 小结 | 第87-88页 |
| 第七章 光催化反应机理分析与规律总结 | 第88-96页 |
| 7.1 复合半导体负载金属表面光催化反应机理 | 第88-91页 |
| 7.2 半导体复合效应对光催化反应性能的影响 | 第91页 |
| 7.3 负载金属对光催化反应性能的影响 | 第91-92页 |
| 7.4 固体材料光吸收性能对光催化反应性能的影响 | 第92页 |
| 7.5 “光-表面-热”协同效应对光催化反应性能的影响 | 第92-94页 |
| 7.6 对目标反应进一步提高光量子效率的思考 | 第94页 |
| 7.7 小结 | 第94-96页 |
| 第八章结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-107页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第107-108页 |
| 附录 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
