| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第11页 |
| 1.2 半导体光电化学（photoelectrochemical, PEC）基本原理 | 第11-14页 |
| 1.3 BiVO_4材料的光电化学性能研究进展 | 第14-21页 |
| 1.3.1 掺杂改性 | 第15-17页 |
| 1.3.2 复合改性 | 第17-19页 |
| 1.3.3 微纳结构改性 | 第19-21页 |
| 1.4 光子晶体 | 第21-24页 |
| 1.4.1 光子晶体的基本概念 | 第21-23页 |
| 1.4.2 反蛋白石结构BiVO_4光子晶体的研究进展 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的研究内容与意义 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第二章 样品制备、结构及性质表征 | 第28-34页 |
| 2.1 胶体晶体模板的制备 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验材料和设备 | 第28页 |
| 2.1.2 FTO导电玻璃基底处理 | 第28页 |
| 2.1.3 PS胶体晶体模板的制备—垂直沉积法 | 第28-29页 |
| 2.1.4 PS胶体晶体模板的热处理 | 第29页 |
| 2.2 BiVO_4光子晶体的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.1 实验原料和设备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 BiVO_4前驱液的配制 | 第30页 |
| 2.2.3 BiVO_4前驱液填充与PS微球去除过程 | 第30页 |
| 2.2.4 溶胶-凝胶法制备BiVO_4薄膜 | 第30页 |
| 2.3 碳量子点（CQDs）溶液的制备 | 第30-31页 |
| 2.4 样品的结构表征方法 | 第31页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪（X-ray Diffraction, XRD） | 第31页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscopy, SEM） | 第31页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜（Transmission Electron Microscopy, TEM） | 第31页 |
| 2.4.4 红外光谱仪 | 第31页 |
| 2.5 样品的性能表征方法 | 第31-33页 |
| 2.5.1 紫外-可见吸收/光谱（UV-vis Absorption Spectra） | 第31-32页 |
| 2.5.2 光电流、电化学交流阻抗谱性能测试 | 第32页 |
| 2.5.3 光解水性能测试 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 CQDs/BiVO_4光子晶体制备及其光电化学性能研究 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34-36页 |
| 3.2 CQDs/BiVO_4光子晶体的制备 | 第36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-47页 |
| 3.3.1 不同样品的形貌及晶体结构表征 | 第36-38页 |
| 3.3.2 io-BiVO_4/CQDs样品的透射电镜及红外吸收光谱表征 | 第38-39页 |
| 3.3.3 不同样品的紫外-可见吸收光谱测试 | 第39-41页 |
| 3.3.4 不同样品的光电化学性能测试 | 第41-44页 |
| 3.3.5 io-BiVO_4/CQDs样品光电化学性能提高的机理研究 | 第44-47页 |
| 3.4 小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章Ag/BiVO_4光子晶体制备及其光电化学性能研究 | 第50-59页 |
| 4.1 引言 | 第50-52页 |
| 4.2 Ag/BiVO_4光子晶体的制备 | 第52-53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-57页 |
| 4.3.1 BiVO_4光子晶体薄膜的形貌表征 | 第53页 |
| 4.3.2 Ag/io-BiVO_4光子晶体透射电子显微镜（TEM）分析 | 第53-54页 |
| 4.3.3 Ag/io-BiVO_4的紫外-可见吸收光谱图 | 第54-55页 |
| 4.3.4 不同样品的光电化学性能测试 | 第55-57页 |
| 4.4 小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
