| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 表面等离激元光子学简介 | 第10-22页 |
| 1.1 表面等离激元及其性质 | 第10-13页 |
| 1.1.1 等离激元及介电常数 | 第10-12页 |
| 1.1.2 表面等离激元性质 | 第12-13页 |
| 1.2 表面等离激元激发方式 | 第13-16页 |
| 1.2.1 棱镜耦合激发 | 第14页 |
| 1.2.2 近场激发 | 第14-15页 |
| 1.2.3 光栅或表面衍射激发 | 第15页 |
| 1.2.4 波导耦合激发 | 第15页 |
| 1.2.5 强聚焦光束激发 | 第15-16页 |
| 1.3 表面等离激元的相关应用 | 第16-19页 |
| 1.3.1 表面等离激元光波导 | 第16-17页 |
| 1.3.2 表面增强光谱 | 第17-18页 |
| 1.3.3 超高分辨成像 | 第18页 |
| 1.3.4 生物检测 | 第18-19页 |
| 1.4 表面等离激元回顾和展望 | 第19-20页 |
| 1.5 本章小结 | 第20-22页 |
| 第二章 近场光学成像技术简介 | 第22-32页 |
| 2.1 近场成像原理 | 第22页 |
| 2.2 扫描近场光学显微镜 | 第22-26页 |
| 2.2.1 孔径型扫描近场光学显微镜 | 第23页 |
| 2.2.2 散射型扫描近场光学显微镜 | 第23-25页 |
| 2.2.3 针尖-孔径型扫描近场光学显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3 近场成像光学技术的应用 | 第26-29页 |
| 2.3.1 极化子物理研究 | 第26-28页 |
| 2.3.2 纳米尺度的材料性质研究 | 第28页 |
| 2.3.3 纳米尺度光谱技术研究 | 第28-29页 |
| 2.4 近场成像光学技术的发展趋势 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-32页 |
| 第三章 砷化铟半导体表面等离激元数值分析 | 第32-42页 |
| 3.1 砷化铟半导体介电响应的Drude模型 | 第32-34页 |
| 3.2 砷化铟半导体表面等离激元 | 第34-35页 |
| 3.3 介质衬底上砷化铟纳米线表面等离激元模场的数值分析 | 第35-40页 |
| 3.3.1 介质衬底上砷化铟纳米线表面等离激元二维模式分析 | 第35-38页 |
| 3.3.2 砷化铟纳米线表面等离激元的三维模拟 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 砷化铟纳米线表面等离激元近场成像 | 第42-50页 |
| 4.1 研究背景 | 第42页 |
| 4.2 砷化铟纳米线的制备 | 第42-43页 |
| 4.3 砷化铟纳米线的表征 | 第43-45页 |
| 4.3.1 扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第43-44页 |
| 4.3.2 透射电子显微镜(TEM)表征 | 第44-45页 |
| 4.4 砷化铟纳米线表面等离激元性质研究与调控 | 第45-49页 |
| 4.4.1 表面等离激元实空间成像 | 第45-46页 |
| 4.4.2 表面等离激元的性质 | 第46-47页 |
| 4.4.3 表面等离激元性质的调控 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |