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过渡金属氧硫族元素化合物的扫描隧道谱研究

摘要第3-6页
Abstract第6-8页
第一章 引言第17-33页
    1.1 超导简介第17-28页
        1.1.1 常规超导体第17-21页
        1.1.2 非常规超导体第21-28页
    1.2 电荷密度波简介第28-32页
        1.2.1 Peierles机制第28-29页
        1.2.2 电声子相互作用的动力学基础第29-31页
        1.2.3 自旋密度波第31-32页
    1.3 小结及论文内容安排第32-33页
第二章 扫描隧道显微镜的原理及应用第33-49页
    2.1 遂穿原理第33-36页
    2.2 低温强场扫描隧道显微镜基本结构第36-43页
        2.2.1 探头第36-39页
        2.2.2 电路系统第39-40页
        2.2.3 测量插杆第40页
        2.2.4 噪声隔离装置第40-42页
        2.2.5 低温强磁场和超高真空环境第42-43页
    2.3 测量第43-47页
        2.3.1 形貌第43-44页
        2.3.2 微分电导谱第44-45页
        2.3.3 FFT-STS第45-47页
    2.4 本章小结第47-49页
第三章 过渡金属二硫族化合物Ta_xNb_(1-x)Se_2中CDW与超导的竞争关系第49-69页
    3.1 研究背景介绍第50-58页
    3.2 输运性质第58-63页
        3.2.1 磁阻性质第58-63页
        3.2.2 高压输运性质第63页
    3.3 扫描隧道谱研究第63-66页
        3.3.1 不同掺杂样品的形貌特征第63-65页
        3.3.2 不同掺杂样品的超导能隙测量第65-66页
    3.4 本章小结第66-69页
第四章 2H-Ta_xNb_(1-x)Se_2中的非弹性电子隧穿现象第69-81页
    4.1 研究背景介绍第69-73页
    4.2 2H-NbSe_2体系中的非弹性电子隧穿第73-79页
    4.3 本章小结第79-81页
第五章 2H-NbSe_2中一种由应力导致的一维CDW相第81-93页
    5.1 研究背景第81-85页
    5.2 实验数据第85-91页
    5.3 本章小节第91-93页
第六章 针尖诱导的局域1T-NbSe_2中的电子关联与超导第93-107页
    6.1 研究背景介绍第93-97页
    6.2 实验内容第97-105页
    6.3 本章小结第105-107页
第七章 在2H-NbSe_2表面新的超结构上观测到的超导第107-115页
    7.1 研究背景介绍第107-108页
    7.2 实验内容第108-114页
    7.3 本章小结第114-115页
第八章 第二类外尔半金属WTe_2的扫描隧道谱研究第115-127页
    8.1 背景第115-118页
    8.2 实验部分第118-126页
    8.3 本章总结第126-127页
第九章 氦3温区极低温扫描隧道显微镜的搭建第127-133页
    9.1 低温环境第127-130页
    9.2 STM探头第130-131页
    9.3 减震第131-132页
    9.4 针尖制备及处理第132页
    9.5 章节小结第132-133页
第十章 点接触Andreev反射谱仪的搭建第133-141页
    10.1 差分螺旋点接触谱仪第133-135页
    10.2 Autocube点接触谱仪第135-140页
    10.3 本章小结第140-141页
第十一章 全文总结第141-143页
参考文献第143-161页
发表文章目录第161-163页
简历第163-165页
致谢第165-166页

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