| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-42页 |
| 1.1 石墨烯的晶格结构和物理性质 | 第10-15页 |
| 1.1.1 石墨烯的晶格结构和色散关系 | 第10-14页 |
| 1.1.2 狄拉克方程 | 第14-15页 |
| 1.2 石墨带的能带结构 | 第15-18页 |
| 1.2.1 扶手椅型边界石墨带 | 第15-17页 |
| 1.2.2 锯齿型边界石墨带 | 第17-18页 |
| 1.3 谷电子学进展 | 第18-26页 |
| 1.3.1 谷电子学的兴起 | 第18-21页 |
| 1.3.2 谷电子的产生 | 第21-24页 |
| 1.3.3 谷电子的调控 | 第24-26页 |
| 1.3.4 谷电子的探测 | 第26页 |
| 1.4 本论文主要研究内释 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-42页 |
| 第二章 理论方法 | 第42-60页 |
| 2.1 霍尔电导和陈数 | 第42-43页 |
| 2.2 量子输运理论 | 第43-50页 |
| 2.2.1 输运体系 | 第43-44页 |
| 2.2.2 非平衡格林函数(Non-Equilibrium Green's Functions,NEGF) | 第44-48页 |
| 2.2.3 Landauer-Buttiker方法 | 第48-50页 |
| 2.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 第三章 谷电子的产生 | 第60-90页 |
| 3.1 硅烯中的多重拓扑界面态 | 第60-70页 |
| 3.1.1 引言 | 第60-61页 |
| 3.1.2 模型 | 第61-63页 |
| 3.1.3 谷螺旋边界态 | 第63-67页 |
| 3.1.4 自旋—谷螺旋界面态 | 第67-70页 |
| 3.1.5 小结 | 第70页 |
| 3.2 硅烯中交错势和磁化导致自旋和谷半金属 | 第70-78页 |
| 3.2.1 引言 | 第70-72页 |
| 3.2.2 模型与相图 | 第72-73页 |
| 3.2.3 电导和磁电阻 | 第73-77页 |
| 3.2.4 小结 | 第77-78页 |
| 3.3 单层二硫化钼的自旋和谷半金属态 | 第78-85页 |
| 3.3.1 引言 | 第78页 |
| 3.3.2 模型 | 第78-79页 |
| 3.3.3 方法 | 第79-80页 |
| 3.3.4 相图与能带 | 第80-82页 |
| 3.3.5 霍尔电导 | 第82-84页 |
| 3.3.6 小结 | 第84-85页 |
| 3.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第四章 谷电子的调控 | 第90-102页 |
| 4.1 引言 | 第90-91页 |
| 4.2 模型与方法 | 第91-92页 |
| 4.3 数值计算结果 | 第92-94页 |
| 4.4 低能模型结果 | 第94-97页 |
| 4.5 结论 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 第五章 谷电子的探测 | 第102-116页 |
| 5.1 引言 | 第102-103页 |
| 5.2 模型 | 第103-106页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第106-111页 |
| 5.4 结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 第六章 总结与展望 | 第116-118页 |
| 6.1 总结 | 第116-117页 |
| 6.2 展望 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 作者攻读博士学位期间的研究成果 | 第120页 |