| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 铁电体和铁电材料 | 第13-17页 |
| 1.1.1 铁电体 | 第13-15页 |
| 1.1.2 铁电材料的分类 | 第15-16页 |
| 1.1.3 铁电材料的应用 | 第16-17页 |
| 1.2 BIT系铋层状钙钛矿铁电薄膜 | 第17-25页 |
| 1.2.1 BIT系铋层状铁电薄膜的各向异性 | 第17-19页 |
| 1.2.2 BIT系铋层状铁电薄膜的制备技术 | 第19-22页 |
| 1.2.3 BIT系铋层状铁电薄膜的改性手段 | 第22-24页 |
| 1.2.4 BIT薄膜在铁电存储器及新型铁电器件中的应用及发展现状 | 第24-25页 |
| 1.3 铋层状铁电薄膜材料疲劳机理的研究现状及存在的问题 | 第25-32页 |
| 1.3.1 铋层状钙钛矿铁电薄膜材料极化疲劳机理 | 第25-28页 |
| 1.3.2 铁电薄膜疲劳机理研究的最新进展 | 第28-31页 |
| 1.3.3 铋层状铁电薄膜材料疲劳机理研究面临的难点 | 第31-32页 |
| 1.4 论文的选题依据和主要内容 | 第32-35页 |
| 1.4.1 论文的选题依据 | 第32-33页 |
| 1.4.2 论文的主要内容 | 第33-35页 |
| 第2章 BNTM铁电薄膜的制备工艺与表征手段 | 第35-52页 |
| 2.1 BNTM铁电薄膜的制备工艺 | 第35-38页 |
| 2.1.1 Sol-gel制备薄膜的基本原理 | 第35-36页 |
| 2.1.2 前驱体溶液的配制及退火工艺 | 第36-37页 |
| 2.1.3 影响Sol-gel制备薄膜性能的基本因素 | 第37-38页 |
| 2.2 铁电薄膜微观结构表征手段 | 第38-45页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术与晶体结构分析 | 第39-40页 |
| 2.2.2 场发射高分辨扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第40页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第40-42页 |
| 2.2.4 压电力显微镜(PFM) | 第42-43页 |
| 2.2.5 EDS元素分析 | 第43页 |
| 2.2.6 拉曼光谱分析 | 第43-44页 |
| 2.2.7 热重/差热分析 | 第44-45页 |
| 2.3 电学特性分析测试手段 | 第45-50页 |
| 2.3.1 铁电性能测试 | 第45-48页 |
| 2.3.1.1 顶电极的制备 | 第45-46页 |
| 2.3.1.2 电滞回线和极化的测量 | 第46-47页 |
| 2.3.1.3 极化翻转疲劳测试 | 第47-48页 |
| 2.3.2 漏电流测试 | 第48页 |
| 2.3.3 介电性能测试 | 第48页 |
| 2.3.4 阻抗频谱测试 | 第48-50页 |
| 2.4 薄膜的低温和高温测试平台 | 第50页 |
| 2.4.1 薄膜低温测试平台 | 第50页 |
| 2.4.2 薄膜高温测试平台 | 第50页 |
| 2.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第3章 底部BIT种子层对BNTM薄膜的性能调控及机理 | 第52-63页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 底部BIT种子层的BNTM薄膜的制备及性能分析 | 第52-60页 |
| 3.2.1 底部BIT种子层的制备 | 第52-53页 |
| 3.2.2 不同BIT退火温度下的BNTM/BIT薄膜的微结构和电学性能 | 第53-60页 |
| 3.2.2.1 不同BIT退火温度下的BNTM/BIT薄膜的微观结构分析 | 第53-57页 |
| 3.2.2.2 不同BIT退火温度下的BNTM/BIT薄膜的漏电流分析 | 第57-58页 |
| 3.2.2.3 不同BIT退火温度下的BNTM/BIT薄膜的铁电、压电、介电性能分析 | 第58-59页 |
| 3.2.2.4 不同BIT退火温度下的BNTM/BIT薄膜的疲劳特性分析 | 第59-60页 |
| 3.3 底部BIT种子层对BNTM薄膜的性能调控机理 | 第60-62页 |
| 3.3.1 不同退火温度的BIT种子层微观结构 | 第60-61页 |
| 3.3.2 底部BIT种子层的调控机理 | 第61-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 顶部BIT覆盖层对BNTM薄膜的性能调控及机理 | 第63-72页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 顶部BIT覆盖层的BNTM薄膜的制备及性能分析 | 第63-69页 |
| 4.2.1 顶部BIT覆盖层及BNTM薄膜的制备 | 第63-64页 |
| 4.2.2 BIT/BNTM薄膜的微结构和电学性能 | 第64-69页 |
| 4.2.2.1 BIT/BNTM薄膜的微观结构分析 | 第64-67页 |
| 4.2.2.2 BNTM和BIT/BNTM薄膜的漏电流分析 | 第67页 |
| 4.2.2.3 BIT/BNTM薄膜的铁电、压电、介电性能分析 | 第67-68页 |
| 4.2.2.4 BIT/BNTM薄膜的疲劳特性分析 | 第68-69页 |
| 4.3 顶部BIT覆盖层对BNTM薄膜的性能调控机理 | 第69-70页 |
| 4.3.1 BIT/BNTM薄膜的EDS分析 | 第69页 |
| 4.3.2 顶部BIT覆盖层的调控机理 | 第69-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第5章 BNTM薄膜的极化翻转疲劳温度特性及机理分析 | 第72-82页 |
| 5.1 引言 | 第72-73页 |
| 5.2 BNTM薄膜的低温和高温极化翻转疲劳 | 第73-76页 |
| 5.2.1 BNTM薄膜的微观结构 | 第73-74页 |
| 5.2.2 BNTM薄膜的高低温下的铁电特性分析 | 第74-76页 |
| 5.2.3 BNTM薄膜的高低温下的极化疲劳分析 | 第76页 |
| 5.3 BNTM薄膜的低温和高温极化疲劳差异的机理分析 | 第76-80页 |
| 5.3.1 BNTM薄膜的不同温度下阻抗频谱及高频导通激活能分析 | 第76-79页 |
| 5.3.2 BNTM薄膜的非中性电畴结构观测 | 第79-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第6章 不同晶粒取向和金属顶电极的BNTM薄膜的极化翻转高温疲劳特性 | 第82-97页 |
| 6.1 引言 | 第82页 |
| 6.2 不同晶粒取向的BNTM薄膜的铁电和极化疲劳温度特性 | 第82-90页 |
| 6.2.1 a轴[200]取向薄膜的Sol-gel制备 | 第82-83页 |
| 6.2.2 不同晶粒取向的BNTM薄膜的微观结构 | 第83-85页 |
| 6.2.3 不同晶粒取向的高低温的铁电特性分析 | 第85-86页 |
| 6.2.4 不同晶粒取向的BNTM薄膜的高温极化疲劳分析 | 第86-88页 |
| 6.2.5 不同晶粒取向的BNTM薄膜阻抗频谱及机理分析 | 第88-90页 |
| 6.3 不同金属顶电极的BNTM薄膜的高温极化疲劳差异的机理分析 | 第90-95页 |
| 6.3.1 不同金属顶电极的制备 | 第90页 |
| 6.3.2 不同金属顶电极的铁电温度特性分析 | 第90-92页 |
| 6.3.3 不同金属顶电极的高温疲劳特性 | 第92-93页 |
| 6.3.4 不同金属顶电极的阻抗频谱及机理分析 | 第93-95页 |
| 6.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 第7章 不同Nd掺杂的BNTM薄膜的高温极化翻转疲劳特性及机理分析 | 第97-107页 |
| 7.1 引言 | 第97页 |
| 7.2 不同Nd掺杂的BNTM薄膜的铁电和极化疲劳温度特性 | 第97-99页 |
| 7.2.1 BTM、BNTM05和BNT85薄膜的制备及微观结构表征 | 第97-98页 |
| 7.2.2 不同Nd掺杂的铁电、介电、漏电流特性分析 | 第98-99页 |
| 7.3 不同Nd掺杂的BNTM薄膜的高温铁电特性与极化疲劳分析 | 第99-105页 |
| 7.3.1 不同Nd掺杂的BNTM薄膜的高温铁电特性分析 | 第99-101页 |
| 7.3.2 不同Nd掺杂的BNTM薄膜的高温下极化疲劳分析 | 第101-103页 |
| 7.3.3 不同Nd掺杂的BNTM薄膜的阻抗频谱与薄膜激活能分析 | 第103-105页 |
| 7.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 第8章 总结与展望 | 第107-110页 |
| 8.1 论文总结 | 第107-108页 |
| 8.2 工作展望 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第125-126页 |
