| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第13-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第13-15页 |
| 1.1.2 石墨烯的性能 | 第15-17页 |
| 1.2 硅量子点简介 | 第17-20页 |
| 1.2.1 本征硅量子点的性能 | 第17-18页 |
| 1.2.2 掺硼硅量子点的性能 | 第18-20页 |
| 1.3 石墨烯/量子点光电器件的研究现状 | 第20-26页 |
| 1.3.1 Gr/Si基肖特基结光电探测器 | 第20-22页 |
| 1.3.2 石墨烯硅基光电导探测器 | 第22-26页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第26-27页 |
| 1.5 本文的研究意义 | 第27-29页 |
| 第2章 器件制备工艺的研究 | 第29-35页 |
| 2.1 Gr/Si肖特基结光电探测器工艺流程 | 第29-32页 |
| 2.2 主要的仪器设备 | 第32-34页 |
| 2.2.1 接触式双面对准光刻机 | 第32页 |
| 2.2.2 纳米材料生长系统(CVD) | 第32页 |
| 2.2.3 深反应刻蚀仪(ICP) | 第32-33页 |
| 2.2.4 半导体器件分析仪 | 第33-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 基于石墨烯/硅肖特基结高速光电探测器及性能优化的研究 | 第35-49页 |
| 3.1 石墨烯的表征 | 第35页 |
| 3.2 Gr/Si肖特基结光电探测器的工作原理 | 第35-37页 |
| 3.3 Gr/Si肖特基结光电探测器件的测试与分析 | 第37-38页 |
| 3.4 Al_2O_3薄膜对Gr/Si光电探测器紫外光波段的性能优化 | 第38-40页 |
| 3.5 硅量子点对Gr/Si肖特基结光电探测器的性能优化 | 第40-47页 |
| 3.5.1 Si-QDs/Gr/Si光电探测器最佳膜厚及性能测试 | 第42-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 基于硼掺杂量子点/石墨烯光电导探测器的研究 | 第49-69页 |
| 4.1 基于硼掺杂硅量子点/石墨烯光电导探测器的制备流程 | 第49-55页 |
| 4.1.1 器件制备的基本流程 | 第49-54页 |
| 4.1.2 制备工艺的改进 | 第54-55页 |
| 4.2 基于石墨烯量子点光电导探测器的相关计算公式 | 第55-56页 |
| 4.3 基于B-SiQDs/Gr光电导探测器的性能表征 | 第56-67页 |
| 4.3.1 掺硼量子点的表征 | 第56-58页 |
| 4.3.2 B-SiQDs/Gr光电导探测器可见光波段的电学性能 | 第58-62页 |
| 4.3.3 B-SiQDs/Gr光电导探测器的可见-近红外的工作原理 | 第62-64页 |
| 4.3.4 B-SiQDs/Gr光电导探测器中红外的工作原理 | 第64-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第5章 总结和展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读硕士期间取得科研成果 | 第77-78页 |
