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钒氧化物光电探测器的制备及性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-35页
    1.1 光电探测器的性能参数第12-13页
    1.2 光电探测器的研究进展及发展方向第13-17页
        1.2.1 零维半导体材料光电探测第13-14页
        1.2.2 一维半导体材料光电探测第14页
        1.2.3 二维材料光电探测进展第14-17页
    1.3 钒氧化物及光电探测进展第17-29页
        1.3.1 钒氧化物性质第17-22页
        1.3.2 钒氧化物的制备方法及研究进展第22-25页
        1.3.3 钒氧化物纳米材料的自组装及有序结构第25-26页
        1.3.4 钒氧化物光电探测研究现状第26-29页
    1.4 光电探测性制备及性能提高方法第29-32页
        1.4.1 掺杂第29-30页
        1.4.2 复合结构第30-31页
        1.4.3 异质结第31-32页
        1.4.4 表面等离子激元效应第32页
    1.5 本课题的提出和主要研究内容第32-35页
第二章 自组装二氧化钒小球及光电探测第35-47页
    2.1 引言第35页
    2.2 实验部分第35-37页
        2.2.1 水热法制备VO_2(D)实心球和空心球第35-36页
        2.2.2 样品的表征第36页
        2.2.3 VO_2(D)球的自组装第36-37页
        2.2.4 自组装小球的红外光电性能测试第37页
    2.3 结果与讨论第37-45页
        2.3.1 实心小球的表征和组装后的红外光电性能测试第37-42页
        2.3.2 空心小球的性质和组装后的红外光电性能测试第42-45页
    2.4 本章小结第45-47页
第三章 二氧化钒纳米线薄膜光电探测第47-53页
    3.1 引言第47页
    3.2 实验部分第47-48页
        3.2.1 VO_2(A)相纳米线的合成第47-48页
        3.2.2 VO_2(A)相纳米材料的表征和测试第48页
    3.3 结果与讨论第48-51页
    3.4 本章小结第51-53页
第四章 高度有序钒氧化物纳米线阵列的制备及其光电响应特性研究第53-63页
    4.1 引言第53页
    4.2 实验部分第53页
        4.2.1 VO_2(A)相纳米线的合成和表征第53页
    4.3 结果与讨论第53-62页
        4.3.1 VO_2(A)纳米线的自组装及光电特性第53-59页
        4.3.2 VO_2(M)高度有序纳米线阵列光电特性第59-62页
    4.4 本章小结第62-63页
第五章 二氧化钒/碳纳米管复合薄膜光电探测第63-71页
    5.1 引言第63页
    5.2 实验部分第63-64页
        5.2.1 水热法制备复合薄膜第63-64页
        5.2.2 样品的表征和光电性能测试第64页
    5.3 结果与讨论第64-70页
    5.4 本章小结第70-71页
第六章 钨掺杂二氧化钒纳米线有序阵列光电探测第71-79页
    6.1 引言第71页
    6.2 实验部分第71-72页
        6.2.1 W掺杂VO_2纳米线的合成以及自组装第71-72页
        6.2.2 样品的表征和测试第72页
    6.3 结果与讨论第72-77页
    6.4 本章小结第77-79页
第七章 高度有序五氧化二钒纳米线阵列光电响应特性研究第79-87页
    7.1 引言第79页
    7.2 实验部分第79页
        7.2.1 V_2O_5有序纳米线阵列的制备、表征和测试第79页
    7.3 结果与讨论第79-85页
    7.4 本章小结第85-87页
第八章 总结和展望第87-89页
    8.1 全文总结第87-88页
    8.2 本论文的创新点第88页
    8.3 展望第88-89页
参考文献第89-101页
攻读博士学位期间发表的学术论文及其他成果第101-103页
致谢第103页

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