| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究目的与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 聚酰亚胺概述 | 第12-14页 |
| 1.3 聚酰亚胺复合薄膜 | 第14-17页 |
| 1.3.1 聚酰亚胺复合薄膜的分类 | 第14-16页 |
| 1.3.2 聚酰亚胺复合薄膜制备方法 | 第16-17页 |
| 1.4 聚酰亚胺/无机纳米复合薄膜研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4.1 无机纳米粒子对PI薄膜的改性 | 第17页 |
| 1.4.2 聚酰亚胺制备工艺的改进 | 第17-18页 |
| 1.5 课题来源及研究内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 课题来源 | 第18-19页 |
| 1.5.2 课题研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验部分 | 第20-24页 |
| 2.1 实验原料及设备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第20页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.2 PI/纳米Al_2O_3三层复合薄膜的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.1 聚酰胺酸(PAA)胶液的制备 | 第21页 |
| 2.2.2 铺膜及亚胺化过程 | 第21-22页 |
| 2.3 测试与表征 | 第22-23页 |
| 2.3.1 红外光谱表征 | 第22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜表征 | 第22-23页 |
| 2.3.3 击穿场强测试 | 第23页 |
| 2.3.4 耐电晕性能测试 | 第23页 |
| 2.3.5 电导电流测试 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第24-43页 |
| 3.1 亚胺化率的计算 | 第24-26页 |
| 3.2 Al_2O_3最佳掺杂量的确定 | 第26-29页 |
| 3.2.1 纳米Al_2O_3掺杂量对PI薄膜击穿场强的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 纳米Al_2O_3掺杂量对PI薄膜耐电晕性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 亚胺化率对PI/Al_2O_3三层复合薄膜结构的影响 | 第29-31页 |
| 3.4 亚胺化率对PI/Al_2O_3三层复合薄膜击穿场强的影响 | 第31-32页 |
| 3.5 亚胺化率对PI/Al_2O_3三层复合薄膜耐电晕性能的影响 | 第32-37页 |
| 3.5.1 亚胺化率对PI/Al_2O_3三层复合薄膜耐电晕时间的影响 | 第32-34页 |
| 3.5.2 电晕处理后的复合薄膜的表面形貌分析 | 第34-37页 |
| 3.6 亚胺化率对PI薄膜电导电流特性的影响 | 第37-42页 |
| 3.6.1 常温下PI薄膜的电导电流特性分析 | 第37-40页 |
| 3.6.2 变温条件下PI薄膜的电导电流特性分析 | 第40-42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
