| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·研究背景及意义 | 第13-15页 |
| ·主要研究内容与文章结构 | 第15-18页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| ·论文的主要结构 | 第16-18页 |
| 第二章 忆阻器研究的热点和重点 | 第18-24页 |
| ·忆阻器制备研究 | 第18-19页 |
| ·忆阻器导电机理研究 | 第19页 |
| ·忆阻器建模研究 | 第19-20页 |
| ·基于忆阻器的电子电路研究 | 第20-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 理想忆阻器的一种近似数学表达 | 第24-38页 |
| ·理想忆阻器的定义 | 第24-27页 |
| ·理想忆阻器的近似表达 | 第27-32页 |
| ·忆阻器近似表达的适应性分析 | 第32-37页 |
| ·案例 1 | 第32-34页 |
| ·案例 2 | 第34-35页 |
| ·案例 3 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 忆阻器逾渗导电通道网格模型中的初态影响研究 | 第38-52页 |
| ·忆阻器逾渗导电通道网格模型 | 第38-42页 |
| ·背景概述 | 第38-39页 |
| ·逾渗导电通道模型分类 | 第39-42页 |
| ·逾渗导电通道网格模型的一种简化 | 第42-44页 |
| ·模型简化 | 第42页 |
| ·仿真分析 | 第42-44页 |
| ·初始渗透率对导电通道形成的影响 | 第44-46页 |
| ·初始逾渗分布对导电通道形成的影响 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·全文工作总结 | 第52-53页 |
| ·存在的不足与未来工作展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第62-63页 |
| 附录A | 第63-66页 |
| A.1 预备知识 | 第63-65页 |
| A.2 理想忆阻器 | 第65-66页 |