致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-12页 |
1 引言 | 第12-14页 |
2 文献综述 | 第14-37页 |
·自旋电子学的发展概况 | 第14-17页 |
·自旋电子学基本理论 | 第17-20页 |
·自旋相关散射理论 | 第17-18页 |
·自旋相关隧穿理论 | 第18-20页 |
·磁记录存储的发展历史 | 第20-28页 |
·纵向磁记录 | 第23-25页 |
·垂直磁记录 | 第25-26页 |
·单比特微加工磁介质记录 | 第26-27页 |
·热辅助磁记录 | 第27-28页 |
·垂直磁各向异性材料 | 第28-31页 |
·CoCrPt | 第29-30页 |
·SmCo5 | 第30-31页 |
·自旋阀(SPV)结构与GMR效应 | 第31-34页 |
·磁性隧道结(MTJs)和隧穿磁电阻效应(TMR)效应 | 第34-37页 |
3 材料制备及检测手段 | 第37-50页 |
·薄膜制备及热处理方法 | 第37-44页 |
·分子束外延MBE | 第37页 |
·脉冲激光沉积法PLD | 第37-39页 |
·磁控溅射 | 第39-42页 |
·溶胶-凝胶法 | 第42-44页 |
·真空退火炉 | 第44页 |
·材料的分析与测试 | 第44-50页 |
·X射线衍射XRD | 第45页 |
·扫描电子显微镜SEM | 第45-46页 |
·透射电子显微镜TEM | 第46-47页 |
·原子力显微镜AFM | 第47-48页 |
·振动磁强计VSM | 第48-50页 |
4 铜掺杂对SmCo_(5-x)Cu_x薄膜晶体结构及磁性的影响 | 第50-58页 |
·引言 | 第50-51页 |
·实验方法 | 第51-52页 |
·实验结果与讨论 | 第52-57页 |
·小结 | 第57-58页 |
5 W含量对Co-W薄膜晶体结构和磁垂直各向异性的影响 | 第58-67页 |
·引言 | 第58-59页 |
·实验方法 | 第59页 |
·实验结果与讨论 | 第59-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
6 底层Ta的厚度对TbFeCo薄膜垂直各向异性的影响 | 第67-73页 |
·引言 | 第67页 |
·实验方法 | 第67-68页 |
·实验结果与讨论 | 第68-72页 |
·小结 | 第72-73页 |
7 六方氮化硼(h-BN)隔离层磁隧道结制被工艺、薄膜形貌与织构优化 | 第73-84页 |
·引言 | 第73-74页 |
·实验方法 | 第74-75页 |
·实验结果与讨论 | 第75-83页 |
·小结 | 第83-84页 |
8 结论 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-98页 |
作者简历及在学研究成果 | 第98-102页 |
学位论文数据集 | 第102页 |