电弧源制备光学薄膜的技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·光学薄膜制备技术 | 第8-11页 |
| ·热蒸发 | 第8-9页 |
| ·溅射沉积 | 第9页 |
| ·离子镀 | 第9-10页 |
| ·化学气相沉积 | 第10-11页 |
| ·电弧离子镀技术 | 第11-15页 |
| ·电弧与电弧离子镀 | 第11-12页 |
| ·电弧离子镀的优缺点 | 第12-14页 |
| ·电弧离子镀的历史及发展现状 | 第14-15页 |
| ·本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2 电弧离子源结构设计 | 第16-22页 |
| ·引弧结构的优化 | 第16-18页 |
| ·电弧离子镀的引弧方式 | 第16页 |
| ·引弧结构的优化 | 第16-18页 |
| ·冷却系统优化 | 第18-19页 |
| ·总体结构 | 第19-21页 |
| ·加工材料选择 | 第21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 3 磁场设计与分析 | 第22-30页 |
| ·外加磁场对弧斑运动的影响 | 第22-23页 |
| ·靶源磁场设计 | 第23-24页 |
| ·“大颗粒”的产生与净化 | 第24-25页 |
| ·“大颗粒”的产生原因 | 第24页 |
| ·“大颗粒”的净化方法 | 第24-25页 |
| ·偏转磁场设计 | 第25-27页 |
| ·磁场分析 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 4 起弧控制电路设计 | 第30-48页 |
| ·高压脉冲电源 | 第31-32页 |
| ·高压脉冲电源的选择 | 第31页 |
| ·高压脉冲电源技术指标 | 第31页 |
| ·功率半导体开关的选择 | 第31-32页 |
| ·绝缘栅双极晶体管 | 第32-36页 |
| ·IGBT的结构 | 第32-33页 |
| ·IGBT的静态特性 | 第33-34页 |
| ·IGBT的动态特性 | 第34-36页 |
| ·IGBT驱动电路 | 第36-38页 |
| ·IGBT驱动电路器件选择 | 第36-37页 |
| ·驱动电路设计 | 第37-38页 |
| ·脉冲发生电路设计 | 第38-40页 |
| ·比较电路设计 | 第40-42页 |
| ·电路总体结构 | 第42-43页 |
| ·电路仿真 | 第43-45页 |
| ·印制电路板的制作与检测 | 第45-47页 |
| ·印制电路板的制作 | 第45页 |
| ·PCB板检测 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 5 薄膜制备的工艺研究 | 第48-54页 |
| ·薄膜检测设备 | 第48-51页 |
| ·椭圆偏振光谱仪 | 第48-49页 |
| ·白光干涉仪 | 第49-51页 |
| ·靶电流对薄膜制备的影响 | 第51-52页 |
| ·靶电流对薄膜沉积速率的影响 | 第51页 |
| ·靶电流对薄膜表面粗糙度的影响 | 第51-52页 |
| ·氧分量对薄膜制备的影响 | 第52-53页 |
| ·氧分量对薄膜沉积速率的影响 | 第52-53页 |
| ·氧分量对薄膜表面粗糙度的影响 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 6 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
