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55nm高速低功耗双端口寄存器文件的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·课题的意义第9页
   ·半导体存储器的分类第9-13页
     ·按制造工艺分类第9页
     ·按存取方式分类第9-13页
   ·寄存器文件的发展趋势第13-14页
   ·本论文的主要研究内容及结构安排第14-15页
第二章 寄存器文件的设计第15-39页
   ·存储单元第15-18页
     ·八管单元的采用及其结构第15-16页
     ·八管单元的工作原理及仿真第16-18页
   ·逻辑单元的设计改进第18-26页
     ·时钟追踪电路的改进第19页
     ·读逻辑单元的时钟产生电路的设计改进第19-23页
     ·写逻辑单元的时钟产生电路的设计改进第23-26页
   ·译码器的设计改进第26-30页
     ·预译码电路的设计改进第26-28页
     ·地址分配的原理第28-30页
   ·预充电路与灵敏放大电路的设计改进第30-36页
     ·预充电路的设计改进第30-32页
     ·灵敏放大器的设计改进第32-36页
   ·写数据驱动器的设计改进第36-38页
   ·本章小结第38-39页
第三章 采用关键路径电路的方法仿真第39-53页
   ·关键路径电路的设计第39-41页
   ·连线负载的建模第41-43页
   ·关键路径中的全局连线负载第43-47页
     ·字线负载的计算第44-46页
     ·位线负载的计算第46-47页
   ·仿真参数的确定第47-52页
     ·公共参数第47-48页
     ·最小参数、FF corner最小参数和最大参数第48-50页
     ·关键路径中仿真参数的计算第50-52页
   ·本章小结第52-53页
第四章 关键路径电路仿真和分析第53-74页
   ·延时的仿真第53-58页
     ·数据存取延迟时间的仿真第54-57页
     ·数据输出转换时间的仿真第57-58页
   ·建立时间和保持时间的仿真第58-63页
     ·建立时间的仿真第60-62页
     ·保持时间的仿真第62-63页
   ·功耗的仿真第63-65页
     ·静态功耗第64页
     ·动态功耗第64-65页
   ·关键路径电路内部关键节点分析第65-70页
     ·CLK→q以及分段TA第66-67页
     ·Q→SA disable第67-68页
     ·仿真差分电压新思路的提出第68-69页
     ·读和写操作时位线的最低电压第69-70页
   ·流片结果展示与对比第70-73页
   ·本章小结第73-74页
第五章 总结与展望第74-76页
参考文献第76-81页
致谢第81-82页
攻读硕士期间发表的论文第82页

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