55nm高速低功耗双端口寄存器文件的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
·课题的意义 | 第9页 |
·半导体存储器的分类 | 第9-13页 |
·按制造工艺分类 | 第9页 |
·按存取方式分类 | 第9-13页 |
·寄存器文件的发展趋势 | 第13-14页 |
·本论文的主要研究内容及结构安排 | 第14-15页 |
第二章 寄存器文件的设计 | 第15-39页 |
·存储单元 | 第15-18页 |
·八管单元的采用及其结构 | 第15-16页 |
·八管单元的工作原理及仿真 | 第16-18页 |
·逻辑单元的设计改进 | 第18-26页 |
·时钟追踪电路的改进 | 第19页 |
·读逻辑单元的时钟产生电路的设计改进 | 第19-23页 |
·写逻辑单元的时钟产生电路的设计改进 | 第23-26页 |
·译码器的设计改进 | 第26-30页 |
·预译码电路的设计改进 | 第26-28页 |
·地址分配的原理 | 第28-30页 |
·预充电路与灵敏放大电路的设计改进 | 第30-36页 |
·预充电路的设计改进 | 第30-32页 |
·灵敏放大器的设计改进 | 第32-36页 |
·写数据驱动器的设计改进 | 第36-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第三章 采用关键路径电路的方法仿真 | 第39-53页 |
·关键路径电路的设计 | 第39-41页 |
·连线负载的建模 | 第41-43页 |
·关键路径中的全局连线负载 | 第43-47页 |
·字线负载的计算 | 第44-46页 |
·位线负载的计算 | 第46-47页 |
·仿真参数的确定 | 第47-52页 |
·公共参数 | 第47-48页 |
·最小参数、FF corner最小参数和最大参数 | 第48-50页 |
·关键路径中仿真参数的计算 | 第50-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第四章 关键路径电路仿真和分析 | 第53-74页 |
·延时的仿真 | 第53-58页 |
·数据存取延迟时间的仿真 | 第54-57页 |
·数据输出转换时间的仿真 | 第57-58页 |
·建立时间和保持时间的仿真 | 第58-63页 |
·建立时间的仿真 | 第60-62页 |
·保持时间的仿真 | 第62-63页 |
·功耗的仿真 | 第63-65页 |
·静态功耗 | 第64页 |
·动态功耗 | 第64-65页 |
·关键路径电路内部关键节点分析 | 第65-70页 |
·CLK→q以及分段TA | 第66-67页 |
·Q→SA disable | 第67-68页 |
·仿真差分电压新思路的提出 | 第68-69页 |
·读和写操作时位线的最低电压 | 第69-70页 |
·流片结果展示与对比 | 第70-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第82页 |